速度飽和
摘要. 對金氧半場效電晶體(MOSFET)元件而言，在電性設計時，其「速度飽和長度」及「有效通道長度」皆為必須考量的重要. 參數之一；且在製程上必須要控制「有效通道 ... , 即為電洞的飄移速度故可得又合併可得其中稱為霍爾係數; 21. ... </li></ul>當電場很大時，飄移速度會達飽和v s 為飽和速度(10 7 cm/s for Si) ε 0 為 ...,速度饱和效应主要是因为Vgs-Vth太大了，前提是管子工作在saturation区域(vds>vgs-vth)。 例如：将二极管接法的管子扫描Vgs，管子依次经历，截止 ... ,漂移速度(Drift Velocity)，是指一個粒子(例如電子)因為電場的關係而移動的平均速度。 實際上，當沒有電場存在，導體中的電子以費米速度作隨機移動。 電場使這個 ... ,漂移速度(Drift Velocity)，是指一个粒子（例如电子）因为电场的关系而移动的平均 ... 而载流子本身的速度就不再升高——达到饱和，即为饱和速度vdsat，如图2所示。 ,用速度飽和造句和"速度飽和"的例句： 1. 基本概念，電流-電壓模型，其中包括速度飽和，閘極特性，輸出電導，應變層的應用。 2. 詳細分析討論了mosfet的壽命與退化 ... ,一般，载流子的漂移速度总是小于其热运动速度，最大也只能接近于热运动速度。 ... 与光学波声子散射而损失能量，致使漂移速度饱和（漂移速度vd 趋于热运动速度）。 ,強場下載流子漂移速度隨電場的變化僅僅表現為隨電場升高而升高的幅度有所降低，並最終趨於飽和。這種效應稱為速度飽和效應。 飽和效應飽和效應（Saturation ... ,E>1e3V/cm,这时漂移速度随E的变化偏离线性，迁移率成为E的函数。强场下载流子漂移速度随电场的 ... 有所降低，并最终趋于饱和。这种效应称为速度饱和效应。 ... ,飽和，飽和度，不飽和或不飽和度可以指: ... 飽和突變,定點突變的一種形式; 飽和速率,半導體在高電場中時電荷載體的最高速度; 飽和吸收,一種精確測定方法; 不飽和度 ...
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速度饱和效应主要是因为Vgs-Vth太大了，前提是管子工作在saturation区域(vds>vgs-vth)。 例如：将二极管接法的管子扫描Vgs，管子依次经历，截止 ... http://bbs.eetop.cn 漂移速度- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
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漂移速度(Drift Velocity)，是指一个粒子（例如电子）因为电场的关系而移动的平均 ... 而载流子本身的速度就不再升高——达到饱和，即为饱和速度vdsat，如图2所示。 https://baike.baidu.com 用"速度飽和"造句
用速度飽和造句和"速度飽和"的例句： 1. 基本概念，電流-電壓模型，其中包括速度飽和，閘極特性，輸出電導，應變層的應用。 2. 詳細分析討論了mosfet的壽命與退化 ... https://tw.ichacha.net 载流子漂移速度_百度百科
一般，载流子的漂移速度总是小于其热运动速度，最大也只能接近于热运动速度。 ... 与光学波声子散射而损失能量，致使漂移速度饱和（漂移速度vd 趋于热运动速度）。 https://baike.baidu.com 速度飽和效應:EE>1e3Vcm,這時漂移速度隨E的變化偏離線 ...
強場下載流子漂移速度隨電場的變化僅僅表現為隨電場升高而升高的幅度有所降低，並最終趨於飽和。這種效應稱為速度飽和效應。 飽和效應飽和效應（Saturation ... https://www.easyatm.com.tw 速度饱和效应_百度百科
E>1e3V/cm,这时漂移速度随E的变化偏离线性，迁移率成为E的函数。强场下载流子漂移速度随电场的 ... 有所降低，并最终趋于饱和。这种效应称为速度饱和效应。 ... https://baike.baidu.com 飽和性- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
飽和，飽和度，不飽和或不飽和度可以指: ... 飽和突變,定點突變的一種形式; 飽和速率,半導體在高電場中時電荷載體的最高速度; 飽和吸收,一種精確測定方法; 不飽和度 ... https://zh.wikipedia.org |