矽能帶圖
鑽石結構(diamond structure). 與閃鋅結構(Zincblende). Si, Ge. GaAs, ZnS. 原子鍵結： ... 能帶. 導電帶(conduction band). 價電帶(valence band). 帶溝(band gap) empty full ... 導電帶. 帶溝Eg. 電子能量. 位置. 導電電子與電洞在帶圖中的圖像. Ev. Ec. ,半导体（英语：Semiconductor）是一种電導率在绝缘体至导体之间的物质。電導率容易受控制的 ... 絕緣體的能帶比半導體寬，意即絕緣體價帶中的載子必須獲得比在半導體中更高的能量才能跳過能帶，進入導帶中。室溫下的半導體導電性有如絕緣體， ... ,在固体物理學中，固体的能带结构（又称电子能带结构）描述了禁止或允许电子所带有的能量，这是 ... Si和Ge是间接带隙半导体，GaAs和InAs是直接带隙半导体. 晶体能带 ... 由于晶体结构的对称性，能带图通常只画第一布里渊区以内的k。布里渊区之外 ... ,自20世紀六十年代，電子計算機得到廣泛應用以後，使用電子計算機依據第一性原理做複雜能帶結構計算成為可能，能帶理論由定性發展為一門定量的精確科學。 ,能帶理論（英語：Energy band theory）是用量子力學的方法研究固體內部電子運動的理論。是於20世紀初期，在量子力學確立以後發展起來的一種近似理論。它曾經 ... , 圖二、能帶圖，其中Eg 是Energy gap 的常用簡稱。 ... 4eV)，因此很難傳導電；半導體的能隙則介於導體與絕緣體之間，像是矽的能隙約為1.12eV。,因此，能階必須分裂成能帶，以使每個電子均能佔據 ... 矽原子. ○ Si︰ 1s22s22p63s23p2. ○ 在n = 1 和n =2 殼層裡有. 10 個緊束縛電子 ..... c) 簡化的絕緣體的能帶圖.
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 矽能帶圖 相關參考資料
一、半導體物理簡介(基本概念）
鑽石結構(diamond structure). 與閃鋅結構(Zincblende). Si, Ge. GaAs, ZnS. 原子鍵結： ... 能帶. 導電帶(conduction band). 價電帶(valence band). 帶溝(band gap) empty full ... 導電帶. 帶溝Eg. 電子能量. 位置. 導電電子與電洞在帶圖中的圖像. Ev. Ec. http://140.120.11.1 半导体- 维基百科，自由的百科全书
半导体（英语：Semiconductor）是一种電導率在绝缘体至导体之间的物质。電導率容易受控制的 ... 絕緣體的能帶比半導體寬，意即絕緣體價帶中的載子必須獲得比在半導體中更高的能量才能跳過能帶，進入導帶中。室溫下的半導體導電性有如絕緣體， ... https://zh.wikipedia.org 能带结构- 维基百科，自由的百科全书
在固体物理學中，固体的能带结构（又称电子能带结构）描述了禁止或允许电子所带有的能量，这是 ... Si和Ge是间接带隙半导体，GaAs和InAs是直接带隙半导体. 晶体能带 ... 由于晶体结构的对称性，能带图通常只画第一布里渊区以内的k。布里渊区之外 ... https://zh.wikipedia.org 能帶理論- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
自20世紀六十年代，電子計算機得到廣泛應用以後，使用電子計算機依據第一性原理做複雜能帶結構計算成為可能，能帶理論由定性發展為一門定量的精確科學。 https://zh.wikipedia.org 能帶理論- Wikiwand
能帶理論（英語：Energy band theory）是用量子力學的方法研究固體內部電子運動的理論。是於20世紀初期，在量子力學確立以後發展起來的一種近似理論。它曾經 ... http://www.wikiwand.com 能隙| 科學Online
圖二、能帶圖，其中Eg 是Energy gap 的常用簡稱。 ... 4eV)，因此很難傳導電；半導體的能隙則介於導體與絕緣體之間，像是矽的能隙約為1.12eV。 http://highscope.ch.ntu.edu.tw 半導體物理
因此，能階必須分裂成能帶，以使每個電子均能佔據 ... 矽原子. ○ Si︰ 1s22s22p63s23p2. ○ 在n = 1 和n =2 殼層裡有. 10 個緊束縛電子 ..... c) 簡化的絕緣體的能帶圖. http://120.101.8.4 |