曝後烤駐波效應
曝光後烘烤. (Post Exposure Bake, PEB ). •光阻玻璃型過渡特性(Glass transition)溫度T g. •烘烤溫度較T g. 高. •光阻分子產生熱運動. •過度曝光與曝光不足的分子重新排列. •平均及平滑駐波效應. •改進解析度 ... ,曝光後的烘烤(PEB). ▫ 曝光後的烘烤經常使用溫度在範圍110 到130 °C的加熱平板. 烘烤約一分鐘. ▫ 對於相同種類的光阻，曝光後的烘烤經常比軟烘烤所需的烘. 烤溫度來的高. ▫ 曝光後的烘烤不足將無法完全消除駐波的圖案,. ▫ 過度的烘烤則會造成光阻的聚合作用且影響光阻顯影的製程. 光阻. 基片. 曝光後烘烤可減少駐波效應 ... ,(Coating)，曝光(Exposure)，與顯影(Developer)，烘烤(Baking)等過程中，所產生. 的Defect 種類，產生原因的 ..... 冷卻(Cooling): 將軟烤和硬烤後的Wafer 冷卻下來，冷卻下來的溫度一般的製. 程均設為室溫(23 度)，若冷卻 ... (Destructive)的干涉(Interference)，而形成所謂的駐波這將使光阻層接受曝光的. 強度不均勻，所以經顯影後光 ... ,曝後烤(Post Exposure Bake, PEB). 曝後烤的目的是消除駐波效應以及在光酸放大型阻劑中提供光. 酸擴散與反應時所需的能量。所謂駐波效應是指曝光的光源穿過光. 阻後照射在晶圓上時，晶圓表面反射的光線會與入射光線發生干涉. 現象，進而在光阻內形成駐波，駐波效應會造成光阻側壁形成鋸齒. 狀的現象，如圖2.5 所示［5］。 ,4. Introduction. ◇光阻. ◇塗底. ◇光阻塗蓋. ◇軟烤. ◇曝光. ◇顯影. ◇硬烤. ◇去光阻. ➢溼式. ➢乾式 ... 過以玻璃為主體的光罩後，打在感光材料上。 ➢經由光罩上的 ..... 解決方法是使在光組經過曝光之後，在執行顯影之前，增. 加一道光阻烘烤的程序，稱為曝光後烘烤。這步驟可使曝. 光過的光阻結構重新排列，減少駐波現象的發生。 ,3. 晶圓薄膜會引起反射（reflection）、駐波（standing wave）、干擾等，使圖. 形影像變形。 4. 光阻：光酸化學分子擴散使潛在影像（latent image）的靈敏度降低。 5. 顯影：表面張力效應、濕式顯影限制了最後光阻應用的深寬比（aspect ratio）。 6. 蝕刻：濕式蝕刻會造成底切（undercut），乾式蝕刻也有深寬比限制。 ULSI元件量產用的微影製程 ... ,曝光後烘烤駐波效應. 出版社: 機械工程學系所. 引用: [1] 莊達人，“VLSI 製造技術”，高立出版社，2002。 [2] 龍文安，“積體電路微影製程”，初版，高立出版社，1998。 [3] 羅正忠、張鼎張譯，“半導體製程技術導論”，台北市，台灣培生教育出版股份有限公司，2002。 [4] 蕭宏，“半導體製程技術導論”，歐亞書局有限公司，2001。 [5] James R. ,Download citation | 微影製程駐波效應之改善研究| 微影技術是將電路圖案轉移至光阻劑上的一種方法，保持圖案轉移輪廓的不失真是微影製程的一大重點。然而，當光進入不同介質界面時會產生界面的反射，且反射的光線在曝光系統中是不易控制的變因，也會對於曝光後阻劑的輪廓造成很大的影響。所以，在先進微影技術中，如何 ... ,曝光完成後，需經過一個曝後烤的程序。曝後烤的主要功能有二：. (1) 消除駐波效應：. 駐波效應是指入射光與反射光所產生的干涉效應，會使光阻在不. 同厚度所接受的曝光量不一致，顯影後將會造成阻劑呈現擺動狀. (swing)，而非垂直。曝後烤可以利用熱能使光阻內感光的化合物. 產生熱擴散，使得縱向分佈較為平均，減少駐波效應的 ... ,相關. 結果及製程資料如下. 光阻：TMHR ip3650 （TOK）. 製程條件：軟烤90℃ 60sec 、厚度8300 A 、曝光i5+ （Canon）、. 曝後烤90℃ 60sec、顯影AD-10 60sec、硬烤120℃ 90sec。塗佈與烘烤. 使用Clean Track Mark ... 圖形沒有製程上使用的困擾，可進一步研究抗反射製程改善駐波效應。 2050 j/m2, F= -0.2 um. 2050 j/m2, F= -0.1 um.
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 曝後烤駐波效應 相關參考資料
Chapter 6 微影技術
曝光後烘烤. (Post Exposure Bake, PEB ). •光阻玻璃型過渡特性(Glass transition)溫度T g. •烘烤溫度較T g. 高. •光阻分子產生熱運動. •過度曝光與曝光不足的分子重新排列. •平均及平滑駐波效應. •改進解析度 ... http://www.isu.edu.tw 半導體製程技術 - 聯合大學
曝光後的烘烤(PEB). ▫ 曝光後的烘烤經常使用溫度在範圍110 到130 °C的加熱平板. 烘烤約一分鐘. ▫ 對於相同種類的光阻，曝光後的烘烤經常比軟烘烤所需的烘. 烤溫度來的高. ▫ 曝光後的烘烤不足將無法完全消除駐波的圖案,. ▫ 過度的烘烤則會造成光阻的聚合作用且影響光阻顯影的製程. 光阻. 基片. 曝光後烘烤可減少駐波效應 ... http://web.nuu.edu.tw 南台科技大學
(Coating)，曝光(Exposure)，與顯影(Developer)，烘烤(Baking)等過程中，所產生. 的Defect 種類，產生原因的 ..... 冷卻(Cooling): 將軟烤和硬烤後的Wafer 冷卻下來，冷卻下來的溫度一般的製. 程均設為室溫(23 度)，若冷卻 ... (Destructive)的干涉(Interference)，而形成所謂的駐波這將使光阻層接受曝光的. 強... http://ir.lib.stust.edu.tw 國立交通大學機構典藏- 交通大學
曝後烤(Post Exposure Bake, PEB). 曝後烤的目的是消除駐波效應以及在光酸放大型阻劑中提供光. 酸擴散與反應時所需的能量。所謂駐波效應是指曝光的光源穿過光. 阻後照射在晶圓上時，晶圓表面反射的光線會與入射光線發生干涉. 現象，進而在光阻內形成駐波，駐波效應會造成光阻側壁形成鋸齒. 狀的現象，如圖2.5 所示［5］。 https://ir.nctu.edu.tw 微影
4. Introduction. ◇光阻. ◇塗底. ◇光阻塗蓋. ◇軟烤. ◇曝光. ◇顯影. ◇硬烤. ◇去光阻. ➢溼式. ➢乾式 ... 過以玻璃為主體的光罩後，打在感光材料上。 ➢經由光罩上的 ..... 解決方法是使在光組經過曝光之後，在執行顯影之前，增. 加一道光阻烘烤的程序，稱為曝光後烘烤。這步驟可使曝. 光過的光阻結構重新排列，減少駐波現象的發生。 http://waoffice.ee.kuas.edu.tw 微影照像
3. 晶圓薄膜會引起反射（reflection）、駐波（standing wave）、干擾等，使圖. 形影像變形。 4. 光阻：光酸化學分子擴散使潛在影像（latent image）的靈敏度降低。 5. 顯影：表面張力效應、濕式顯影限制了最後光阻應用的深寬比（aspect ratio）。 6. 蝕刻：濕式蝕刻會造成底切（undercut），乾式蝕刻也有深寬比限制。 ULSI元件量產用的微影製程&n... http://www.wunan.com.tw 微影製程駐波效應之改善研究
曝光後烘烤駐波效應. 出版社: 機械工程學系所. 引用: [1] 莊達人，“VLSI 製造技術”，高立出版社，2002。 [2] 龍文安，“積體電路微影製程”，初版，高立出版社，1998。 [3] 羅正忠、張鼎張譯，“半導體製程技術導論”，台北市，台灣培生教育出版股份有限公司，2002。 [4] 蕭宏，“半導體製程技術導論”，歐亞書局有限公司，2001。 [5] James R. http://ir.lib.nchu.edu.tw 微影製程駐波效應之改善研究 - ResearchGate
Download citation | 微影製程駐波效應之改善研究| 微影技術是將電路圖案轉移至光阻劑上的一種方法，保持圖案轉移輪廓的不失真是微影製程的一大重點。然而，當光進入不同介質界面時會產生界面的反射，且反射的光線在曝光系統中是不易控制的變因，也會對於曝光後阻劑的輪廓造成很大的影響。所以，在先進微影技術中，如何 ... https://www.researchgate.net 第一章 前言
曝光完成後，需經過一個曝後烤的程序。曝後烤的主要功能有二：. (1) 消除駐波效應：. 駐波效應是指入射光與反射光所產生的干涉效應，會使光阻在不. 同厚度所接受的曝光量不一致，顯影後將會造成阻劑呈現擺動狀. (swing)，而非垂直。曝後烤可以利用熱能使光阻內感光的化合物. 產生熱擴散，使得縱向分佈較為平均，減少駐波效應的 ... http://thuir.thu.edu.tw 製程能力介紹
相關. 結果及製程資料如下. 光阻：TMHR ip3650 （TOK）. 製程條件：軟烤90℃ 60sec 、厚度8300 A 、曝光i5+ （Canon）、. 曝後烤90℃ 60sec、顯影AD-10 60sec、硬烤120℃ 90sec。塗佈與烘烤. 使用Clean Track Mark ... 圖形沒有製程上使用的困擾，可進一步研究抗反射製程改善駐波效應。 2050 j/m2, F= -0.... http://www.ndl.narl.org.tw |