改善短通道效應
短通道效應、汲極引致能障下降(DIBL)等等，使得特性曲線偏移。為了克服此問題， ... 改為使用High－κ 材料，即高介電絕緣層，更能降低閘極漏電流、改善次臨界擺幅. ,,閘極或是環繞式閘極(Gate-All-Around)都是目前改善短通道效應的方法[1,2,3]。與. 傳統的平面式雙閘極金氧半場效電晶體比較，奈米線電晶體能夠提供更好的閘極. ,不過，為了追求小還要更小，於是出現了無法避免的「短通道效應」（Short Channel Effect, SCE），而為了改善「短通道效應」，產業界也紛紛提出各式各樣不同的元件 ... ,經由模擬軟體驗證得知內部阻絕層可有效抑制超短通道效應與改善熱不穩定度。最後，我們結合磊晶矽鍺薄膜製程（bSGMOS)在源╱汲極區成長矽鍺薄膜，利用應力 ... , ... 剛才提到的通道形成問題，所以漏電流或關不起來的情況就會大幅改善。 ... 在通道形成部位（閘極下方）打入雜質，同時解決短通道效應，一舉兩得。, ... 載子效應的原理: 當MOSFET的通道長L很小時, 也就是short-channel(短通道)元件 ... 要改善熱載子效應, 就要降低Drain端的橫向電場E, 製造上都 ...,面，所以能降低P-N 接面造成的寄生電容與漏電流，改善短通道效應，又因為. 具有兩個額外增加的pass way 所以能抑制浮體效應，還可以有效降低通道載子. ,面，所以能降低P-N 接面造成的寄生電容與漏電流，改善短通道效應，又因為. 具有兩個額外增加的pass way 所以能抑制浮體效應，還可以有效降低通道載子.
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高介電絕緣層對先進金氧半場效應電晶體元件影響之研究
短通道效應、汲極引致能障下降(DIBL)等等，使得特性曲線偏移。為了克服此問題， ... 改為使用High－κ 材料，即高介電絕緣層，更能降低閘極漏電流、改善次臨界擺幅. http://ir.niu.edu.tw 國立交通大學機構典藏
https://ir.nctu.edu.tw 第一章緒論
閘極或是環繞式閘極(Gate-All-Around)都是目前改善短通道效應的方法[1,2,3]。與. 傳統的平面式雙閘極金氧半場效電晶體比較，奈米線電晶體能夠提供更好的閘極. https://ir.nctu.edu.tw Intel挑戰22奈米極限 - Wa-People 產業人物
不過，為了追求小還要更小，於是出現了無法避免的「短通道效應」（Short Channel Effect, SCE），而為了改善「短通道效應」，產業界也紛紛提出各式各樣不同的元件 ... http://www.wa-people.com 為抑制短通道效應和改善熱不穩定度之具有內部阻絕層新金氧半電晶體 ...
經由模擬軟體驗證得知內部阻絕層可有效抑制超短通道效應與改善熱不穩定度。最後，我們結合磊晶矽鍺薄膜製程（bSGMOS)在源╱汲極區成長矽鍺薄膜，利用應力 ... https://ndltd.ncl.edu.tw Intel的Tri-Gate - T客邦
... 剛才提到的通道形成問題，所以漏電流或關不起來的情況就會大幅改善。 ... 在通道形成部位（閘極下方）打入雜質，同時解決短通道效應，一舉兩得。 https://www.techbang.com 急~熱載子效應的問題(20點) | Yahoo奇摩知識+
... 載子效應的原理: 當MOSFET的通道長L很小時, 也就是short-channel(短通道)元件 ... 要改善熱載子效應, 就要降低Drain端的橫向電場E, 製造上都 ... https://tw.answers.yahoo.com 國立中山大學電機工程研究所碩士論文
面，所以能降低P-N 接面造成的寄生電容與漏電流，改善短通道效應，又因為. 具有兩個額外增加的pass way 所以能抑制浮體效應，還可以有效降低通道載子. http://etd.lib.nsysu.edu.tw 國立中山大學電機工程研究所碩士論文 - eThesys 國立中山大學學位 ...
面，所以能降低P-N 接面造成的寄生電容與漏電流，改善短通道效應，又因為. 具有兩個額外增加的pass way 所以能抑制浮體效應，還可以有效降低通道載子. https://etd.lis.nsysu.edu.tw |