pocket implant作用
面心立方堆積，若在無外力的作用下其晶格排列是呈現對稱，而其能帶也呈現簡併. (degeneracy)，若 ... 源極與汲極離子佈植(S/D implant)後的退火（annealing），如圖2-26，應變矽在承受. 了900°C 依然 ... halo(或稱口袋(pocket)摻雜)。這是首度在電路 ... ,B/175/1×1013. ,halo implant作用,最常見的一個例子是，為了要減輕短通道效應，以NMOS 為例，我們會在N+ 區域的角落打上P-type 的implant，叫做pocket implant， ... ,pocket implant作用, ... 狀植入(Pocket Implant)來改善元件短通道效應；而在本篇將使用到這兩項製程，摻雜和植入不同濃度的量在UTB SOI元件，來探討不同高低摻雜 ... ,B/175/1×1013. ,pocket implant作用, ... 狀植入(Pocket Implant)來改善元件短通道效應；而在本篇將使用到這兩項製程，摻雜和植入不同濃度的量在UTB SOI元件，來 ... ,最常見的一個例子是，為了要減輕短通道效應，以NMOS 為例，我們會在N+ 區域的角落打上P-type 的implant，叫做pocket implant，當通道長度越短，源極汲極打 ... , 在讲Spacer的Process理论之前，先讲下Spacer的作用，为什么要有 ... 防穿通注入(NAPT Implant)，或者Advance制程的Pocket implant都可以， ...,... Short-Channel Effects and Reliability of the Different LDD and Pocket Doping ... 摻雜汲極(Light Doped Drain)來抑制熱載子效應，和袋狀植入(Pocket Implant)來 ... ,We adjusted the ion implant dosage and energy for the N-type lightly doped drain ... 關鍵字: 唯讀記憶體;非揮發性記憶體;耦合作用;離子佈植;袋狀佈植;輕汲極摻雜; ... Memory Device;Coupling Effect;Ion Implant;Pocket Implant;Punch Through;Hot ... ,Pocket or halo implant is commonly used in the process of high performance logic CMOS technology in order to control the short channel effect (SCE) of MOSFETs ...
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We adjusted the ion implant dosage and energy for the N-type lightly doped drain ... 關鍵字: 唯讀記憶體;非揮發性記憶體;耦合作用;離子佈植;袋狀佈植;輕汲極摻雜; ... Memory Device;Coupling Effect;Ion Implant;Pocket Implant;Punch Through... https://ir.nctu.edu.tw 環型佈植角度對奈米MOSFET數位及類比特性的影響 - 博碩士論文
Pocket or halo implant is commonly used in the process of high performance logic CMOS technology in order to control the short channel effect (SCE) of MOSFETs ... https://ir.lib.ntut.edu.tw |