大馬士革銅製程
今年6月,諾發所主導的策略聯盟正式推出了稱為大馬士革(Damascus)的全套銅製程設備解決方案。至於應用材料目前產品線幾乎已涵括所有銅製程需使用的設備, ... ,一般完整的雙鑲嵌製程為,先沉積介電層並以干蝕刻完成雙鑲嵌結構之圖型后,接著需沉積一層擴散阻障層(diffusion barrier),鋁製程一般是TiN,銅製程則為TaN。 ,採用銅作為導線的製造方法就稱為「銅導線製程技術」,而率先研究銅製程成功的IBM,申請這項技術專利時將它取名為「大馬士革」(Damascene)。 採用銅來取代鋁作為 ... ,銅導線製程技術. 採用銅作為導線的製造方法就稱為「銅導線製程技術」,而率先研究銅製程成功的IBM,申請這項技術專利時將它取名為「大馬士革」(Damascene)。 ,時間延遲(RC-time delay)效應等問題也伴. 隨出現,因此導入銅製程來解決阻容延. 遲。其中的雙大馬士革(Dual Damascene)製. 程結構由於殘留應力存在,容易導致銅 ... ,一般完整的雙鑲嵌製程為,先沉積介電層並以乾蝕刻完成雙鑲嵌結構之圖型後,接著需沉積一層擴散阻障層(diffusion barrier),鋁製程一般是TiN,銅製程則為TaN。 ,鈷 ; 鈷鎢合金 ; 阻障層 ; 溼潤層 ; 大馬士革銅製程 ; Co ; CoW ; barrier layer ... 但是銅導線在溫度與電場的操作下,銅極易擴散至低介電常數材料中,並與之發生 ... ,本研究的第一部以大馬士革銅製程中微小導線體積出發,討論如何在顧及階梯覆蓋情形下,同時降低阻障層阻值的方法。為了改善窄線寬的阻障層填洞能力,物理氣相 ... ,隨著積體電路製程的迅速發展,後段多. 層導體連線與低介電常數材料製程愈來愈受. 到重視。進入深次微米元件領域,其金屬連. 接線所造成的RC 延遲現象嚴重影響 ...
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