半導體od poly
poly-Si. SiH4. LP. 500~700. 半導体. 溫度控制結晶度. Si3N4. DCS+NH3. LP ..... 從製程上來說: 指在半導體上製做出氧化層及金屬層等, 最後做出積體電路(ICs)的 ... , 從0.25um以下的半導體製程，利用STI的方法來做隔絕元件與元件。由於STI的作法，會 ... [4] Poly Space Effect (PSE) by bubuchen [5] Self-Heating ..., 因此，這種eSiGe (Embedded SiGe)的方法，會受到Gate到OD ... 如圖三中的Device A，除了左右兩旁最鄰近閘極(B)的距離外，有些半導體製程的 ..., 看左圖就好，這跟蝕刻沒有關係，contact 與via 是layer 的名稱，就是各層次的名稱，如左圖的最下方是substrate，就是我們的wafer，然後長poly， ...
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 半導體od poly 相關參考資料
IC 製程簡介
poly-Si. SiH4. LP. 500~700. 半導体. 溫度控制結晶度. Si3N4. DCS+NH3. LP ..... 從製程上來說: 指在半導體上製做出氧化層及金屬層等, 最後做出積體電路(ICs)的 ... http://www.topchina.com.tw OD Space Effect (OSE) - BuBuChen的旅遊記事本
從0.25um以下的半導體製程，利用STI的方法來做隔絕元件與元件。由於STI的作法，會 ... [4] Poly Space Effect (PSE) by bubuchen [5] Self-Heating ... http://www.bubuchen.com Poly Space Effect (PSE) - BuBuChen的旅遊記事本
因此，這種eSiGe (Embedded SiGe)的方法，會受到Gate到OD ... 如圖三中的Device A，除了左右兩旁最鄰近閘極(B)的距離外，有些半導體製程的 ... http://www.bubuchen.com 請問半導體製程中via和contact的意義是什麼| Yahoo奇摩知識+
看左圖就好，這跟蝕刻沒有關係，contact 與via 是layer 的名稱，就是各層次的名稱，如左圖的最下方是substrate，就是我們的wafer，然後長poly， ... https://tw.answers.yahoo.com |