wf6 sih4反応式
Si3N4. LPCVD. SiH4, N2, NH3. LPCVD C8H22N2Si (BTBAS). W (Tungsten). WF6 (Tungsten hexafluoride), SiH4, H2. WSi2. WF6 (Tungsten hexafluoride), SiH4, ... ,WF6. 為鎢的先驅物. ▫ 和SiH4. 反應形成成核層. ▫ 和H2. 反應作為巨量鎢的沈積. ▫ 需要一TiN層以附著在氧化物上. 16. W 栓塞及TiN/Ti 阻擋層/附著層. 鎢. TiN/Ti. ,SiH4と,用. いるガスは同じである. 図6 SiとWF6と. の反応で成長するW量. の成長時間依存 ... (1)の 反応式 で示 され るように,下 地物質 によ る還元 は,. WF6に. よる下地 ... ,Si3N4. LPCVD SiH4, N2, NH3. LPCVD C8H22N2Si (BTBAS). W (Tungsten). WF6 (Tungsten hexafluoride), SiH4, H2. WSi2. WF6 (Tungsten hexafluoride), SiH4, ... ,加熱CVD 製程– WF6 當作鎢的源材料– SiH4 作為矽的源材料. .... 反應式濺鍍，利用氰氣和氮氣以Ti為靶材– – – – 在電漿中N2 分子被分解氮自由基(N) N和Ti在鈦表面 ... ,SiH4, O2. SiO2 (玻璃). PECVD SiH4, N2O. 介電質. PECVD Si(OC2H5)4 (四乙氧基 ... WF6 (六氟化鎢), SiH4, H2. WSi2 ..... 反應式濺鍍，利用氬氣和氮氣以Ti為靶材. ,與鋁層金屬通道（via）的成長機制，沉積參數例如︰壓力、溫度、矽烷╱六氟化鎢（SiH4╱WF6）氣體流量與流量比等等在沉積速率、鎢膜阻值、晶相以及選擇率等特性上 ... ,CVD-W薄膜沉積使用了B2H6取代SiH4與WF6沉積反應，因為具有較大的界面自由能，W在多晶的TiN膜上異質成長緩慢，成核層沉積可得到較大的晶粒當在均質成長 ... ,CVD-W薄膜沉積使用了B2H6取代SiH4與WF6沉積反應，因為具有較大的界面自由能，W在多晶的TiN膜上異質成長緩慢，成核層沉積可得到較大的晶粒當在均質成長 ... ,TEPO+O2. → P2O5+ H2O+by product. (4)W CVD製程使用氣體：SiH4，WF6，NF3，H2. 反應式：WF6(g)+SiH4(g). → W(s)+SiF4(g)+2HF(g)+H2(g). WF6(g)+3H2(g).
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TEPO+O2. → P2O5+ H2O+by product. (4)W CVD製程使用氣體：SiH4，WF6，NF3，H2. 反應式：WF6(g)+SiH4(g). → W(s)+SiF4(g)+2HF(g)+H2(g). WF6(g)+3H2(g). http://ebooks.lib.ntu.edu.tw |