tof sims分析
次級離子質譜法分析 SIMS（二次離子質譜）可以偵測濃度非常低的摻雜和雜質，也可以提供從幾Å到幾十µm範圍內的元素深度分布。樣品通過使用一次離子（通常是O ... ,為了將時間軸轉換為深度，SIMS分析師會使用表面輪廓儀測量濺射坑的深度。表面輪廓儀是一種單獨的儀器，通過沿著坑面拖拽探針，就可以確定其深度並記錄其垂直 ... ,前言 / 歷史 / SIMS之原理 / SIMS之儀器 / TOF-SIMS之應用 / 結論 / 參考資料 ... 維爾納(Werner)開啟二次離子質譜儀應用於半導體及薄膜分析的可行性。隨著半導體 ... , 二次離子質譜分析儀(Secondary Ion Mass Spectrometer, SIMS)主要是利用離子高靈敏度的特性，針對樣品的表面微汙染、摻雜與離子植入的P/N ...,二次離子質譜儀依據分析儀種類，可區分為磁偏式質譜儀、四極式質譜儀與飛行時間式 ... 微污染分析：SIMS另一主要應用為表面成份污染分析，如球型陣列封裝基板中 ... ,10µm. 100µm. 1mm. 1cm. AES. FE AES. RBS. TXRF. TOF-SIMS. Dynamic SIMS. SEM/EDS. µESCA. XPS/. ESCA. 圖一Evans Analytical Group之表面分析項目 ... ,TOF-SIMS（飛行式二次離子質譜）是將一次離子脈衝束聚焦在樣品表面上，在濺射過程中產生二次離子的表面分析技術。分析這些二次離子可以得到有關表面上分子和 ... ,可以經由持續監控特定元素的深度（例如SIMS）來獲得，或是通過去除材料、 ... 拉曼光譜分析（Raman） · 拉賽福背向散射（RBS） · 飛行式二次離子質譜（TOF-SIMS） ... ,歐傑電子能譜的定量分析是採用相對敏感度分析法（relative sensitivity factor analysis）， .... magnetic sector SIMS），（三）TOF二次離子質譜儀（Time of flight SIMS）。
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