sti製成

矽蝕刻及淺溝槽的氧化被研究來減少氧化物. 侵入. ▫ STI製程和CVD氧化物溝槽之填充被接著發展. 出來. 6. STI: 襯墊氧化及LPCVD 氮化矽. P型磊晶層. P型晶圓.

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早期製程都是用LOCOS當作解決depletion region過大的方法，但近代主流製程皆採用STI，原因在於LOCOS會有bird's break的問題，會入侵到P+ or N+更甚者會造成 ...

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STI製程中的襯墊氧化層. 與阻擋氧化層. 矽. 襯墊. 氧化層. 氮化矽. 矽. 襯墊. 氧化層. 氮化矽. 矽. USG. 阻擋氧化層. 溝槽蝕刻. 溝槽填充. USG CMP; 氮化矽與襯墊氧化層 ...

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件製程技術要求也更加精確，在小線寬及高積極度的要求下，元件間干. 擾越來越明顯，被用來作為元件之間絕緣的淺溝槽隔離製程(Shallow. Trench Isolation, STI)也 ...

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氮化矽. 矽. 襯墊氧化層. 氮化矽. 矽. USG. 阻擋氧化層. 槽溝蝕刻. 槽溝填充. USG CMP; USG 退火; 氮化矽和襯墊氧化層剝除. STI製程中的襯墊氧化層和阻擋氧化層 ...

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半導體製程微縮到20奈米後，晶圓溝槽輪廓的深寬比和形狀均勻度變得 ... 淺溝槽隔離(STI)電漿蝕刻技術，以克服邊緣溝槽輪廓控制及圖案崩毀等挑戰。

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圖2-8 STI 製程中的襯墊氧化層和阻擋氧化層[1] . ..... LOCOS)和淺溝槽絕緣(Shallow Trench Isolation, STI)形成時作為氮化矽的襯. 墊層。如果沒有二氧化矽墊層作為 ...

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Boardroom arrangement，沒有牆隔離製程. 與設備. ▫ 比class 1 等級高的環境，環繞在晶圓和製程. 工具四周 ..... 在STI 製程下的襯墊氧化層和阻擋氧化層. USG.

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我们的CMOS制程就是做出NMOS和PMOS，再复杂的电路对我们FAB来讲 ... 如果你对隔离技术仅仅停留在STI和LOCOS的认知上，那你就out了，这 ...

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