sf6蝕刻
SF6-O2氣體的非等向性矽蝕刻技術. Anisotropic Dry Etching Technology of Silicon Using SF6/O2 Gas. 陳秀香(Hsiu-Hsiang Chen). 光學工程； 83期(2003 / 09 / 01) ... ,作為電漿蝕刻之主要氣體，SF6 的蝕刻速率較快而產生較明顯的側. 蝕。而CHF3 速率較慢，但會產生高分子材料使的側面或的保護[15]。 同時加入Ar 氣體增加離子轟擊 ... ,題目：以SF6/O2/Ar 感應偶合電漿蝕刻碳化矽材料. SF6/O2/Ar Inductively Coupled Plasma Etching of SiC. 系所別：機械與航太工程研究所. 學號姓名：M09408039 ... , 如下圖所示，純粹的化學蝕刻通常沒有方向選擇性，上下左右刻蝕速度 ... 刻蝕，其刻蝕氣體可選用的有SF6及CFx系，一般在LCD製程選用SF6，因為 ...,半導體金屬蝕刻製程主要使用Cl2(氯氣)、BCl3(氯化硼)等氣體，以 ... 驗以固定流量的1000 ppm 追蹤氣體SF6 在腔底連續釋放，以了解反應腔的. 氣罩效率或反應腔 ... ,費性積體電路這類需求，而製程當中的鎢金屬蝕刻(Tungsten Etch back)中所使用的PFC. 管制氣體SF6 的使用量是佔蝕刻製程的68%，因此，希望能藉由製程替代物品 ... ,另SF6 的流量越大，提供可蝕刻矽的氟離子濃度升高，使蝕刻速率提升；但. 在製程壓力15 mTorr、SF6 流量195 sccm 時，因氣體流量太大導致製程無法穩定維持在15 ... ,了在碳化矽背向通孔中最常見的問題，蝕刻柱狀物的形成與避免。 製程後的直流與交流量測結果 ... 物，因此SF6 是一個在SiC 乾蝕刻中常見的反應物。乾蝕刻腔體中， ... ,蝕刻技術. (Etching). 嚴大任助理教授. 國立清華大學材料科學工程學系 ... 三分鐘後停止蝕刻, 試問會有多少下層的Si被蝕刻掉? min/. 016.0 m ... O2、SF6，ICP RF最大.
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Airiti Library華藝線上圖書館_SF6-O2氣體的非等向性矽蝕刻技術
SF6-O2氣體的非等向性矽蝕刻技術. Anisotropic Dry Etching Technology of Silicon Using SF6/O2 Gas. 陳秀香(Hsiu-Hsiang Chen). 光學工程； 83期(2003 / 09 / 01) ... https://www.airitilibrary.com 翻鑄模仁與矽基板V 型凹槽
作為電漿蝕刻之主要氣體，SF6 的蝕刻速率較快而產生較明顯的側. 蝕。而CHF3 速率較慢，但會產生高分子材料使的側面或的保護[15]。 同時加入Ar 氣體增加離子轟擊 ... https://etd.lis.nsysu.edu.tw 中華大學碩士論文
題目：以SF6/O2/Ar 感應偶合電漿蝕刻碳化矽材料. SF6/O2/Ar Inductively Coupled Plasma Etching of SiC. 系所別：機械與航太工程研究所. 學號姓名：M09408039 ... http://chur.chu.edu.tw 「面板製程刻蝕」史上最全Dry Etch分類、工藝基本原理及良率 ...
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半導體金屬蝕刻製程主要使用Cl2(氯氣)、BCl3(氯化硼)等氣體，以 ... 驗以固定流量的1000 ppm 追蹤氣體SF6 在腔底連續釋放，以了解反應腔的. 氣罩效率或反應腔 ... https://ir.nctu.edu.tw 國立交通大學機構典藏- 交通大學
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了在碳化矽背向通孔中最常見的問題，蝕刻柱狀物的形成與避免。 製程後的直流與交流量測結果 ... 物，因此SF6 是一個在SiC 乾蝕刻中常見的反應物。乾蝕刻腔體中， ... https://www.aec.gov.tw 蝕刻技術
蝕刻技術. (Etching). 嚴大任助理教授. 國立清華大學材料科學工程學系 ... 三分鐘後停止蝕刻, 試問會有多少下層的Si被蝕刻掉? min/. 016.0 m ... O2、SF6，ICP RF最大. https://www.sharecourse.net |