pecvd鍍膜
开发了一个朗缪尔探针等离子体诊断系统,对PECVD真空镀膜机进行了等离子体参数诊断。该镀膜机内的等离子体是电容偶合激发方式的氢等离子体,激发源为 ... ,... 沈積(ALD); 射頻電漿化學沈積(PECVD); 微波電漿化學沈積(MPCVD) ... 原子級膜厚控制等優點,因此可用於超薄高介電材料鍍膜、半導體奈米製程技術 ... ,等离子增强化学气相沉积. PECVD. 允许低温镀膜; 适宜塑料等温度敏感性基材; 可用于复杂元件镀膜. ,物理氣相沉積法(Physical Vapor Deposition,簡稱:PVD)顧名思義是以物理機制來進行薄膜堆積而不涉及化學反應的製程技術,所謂物理機制是物質的相變化 ... ,大面積電感式耦合電漿PECVD (ICP-PECVD),以鏈條式傳送裝置與Locklock真空緩衝腔連結。用以製作大面積矽基(Silicon-Based) 薄膜材料為主,如非晶矽(a-Si)、 ... ,電漿化學氣相沉積設備(PECVD)- industry application. 1. Etching process. 2. Microelectronics material. 3. isolation film. 4. Barrier film. 1. Diamond-like carbon. ,CYRANNUS 微波電漿鍍膜系統基本上都是按照客戶的需求來量身打造,因此在本網站上不提供一套制式的規格表或訂購單。下面所列舉的三款設備都是以標準模組 ... ,其鍍膜的物理性質與傳統Thermal CVD 法的Si3N4 比較具有下列特性:. 表四、Thermal CVD 與PECVD 鍍Si3N4 膜性質比較PECVD 法的SiN 膜主要性質有:1.具 ... ,2010年6月23日 — 其鍍膜的物理性質與傳統Thermal CVD 法的Si3N4 比較具有下列特性:. 表四、Thermal CVD 與PECVD 鍍Si3N4 膜性質比較PECVD 法的SiN 膜 ... ,... 彩虹鑽石及Diamond薄膜品質與其代工技術服務更是引領鍍膜業界數十年,無論是膜層的細緻度、性質 ...
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