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GlobalFoundries、三星、台積電和聯電計畫開始提供自旋轉移力矩磁阻RAM(spin-transfer torque magnetoresistive RAM，簡稱ST-MRAM 或STT-MRAM)作為NOR ... , MRAM 和RRAM 的特性為何，與DRAM、NAND（快閃記憶體）相比，又有什麼樣的效能與成本優勢？讓我們從MRAM 和RRAM 兩項技術看起。, (source : Pixabay). 繼英特爾宣布MRAM準備進入量產，三星日前也發表公告將推出28nm的MRAM產品，隨著次世代記憶體MRAM的推出與量產， ..., 三星電子已開始使用代工製程生產磁阻隨機存取記憶體（MRAM：magnetoresistive random-access memory），這是未來的半導體之一，市場預 ..., 台灣科技部在14 日發表由清華大學團隊研發出的最新磁阻式隨機存取記憶體（MRAM）技術，稱對半導體產業發展將有決定性的影響力。, 然而，MRAM 卻有操作溫度的瓶頸，但是清大研究團隊近期突破這個瓶頸，讓台灣MRAM 技術領先全球，也讓記憶體與半導體產業技術往前邁進。, MRAM在嵌入式記憶體先馳得點，在28/22 nm中成為eFlash的替代，在7/5 nm世代也成為L3 cache的替代。能當成替代，自然在讀寫速度、功耗、 ..., 以MRAM、ReRAM和PCRAM為代表的新型記憶體雖然能夠帶來獨特的優勢，但由於這些記憶體均採用新型材料，製造製程嚴苛，大規模量產的消息 ...,磁阻式隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random Access Memory，縮寫為MRAM），是一種非易失性記憶體技術，從1990年代開始發展。這個技術的擁護者認為， ...
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Taiwan Electrical and Electronic ... - 台灣區電機電子工業同業公會
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台灣科技部在14 日發表由清華大學團隊研發出的最新磁阻式隨機存取記憶體（MRAM）技術，稱對半導體產業發展將有決定性的影響力。 https://technews.tw 台灣記憶體獨步全球：MRAM 技術瓶頸被清大團隊突破啦！ - 報橘
然而，MRAM 卻有操作溫度的瓶頸，但是清大研究團隊近期突破這個瓶頸，讓台灣MRAM 技術領先全球，也讓記憶體與半導體產業技術往前邁進。 https://buzzorange.com 嵌入式MRAM和獨立式MRAM要分流了！ - Digitimes
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磁阻式隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random Access Memory，縮寫為MRAM），是一種非易失性記憶體技術，從1990年代開始發展。這個技術的擁護者認為， ... https://zh.wikipedia.org |