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Taiwan Electrical and Electronic ... - 台灣區電機電子工業同業公會

GlobalFoundries、三星、台積電和聯電計畫開始提供自旋轉移力矩磁阻RAM(spin-transfer torque magnetoresistive RAM,簡稱ST-MRAM 或STT-MRAM)作為NOR ...

http://www.teema.org.tw

【拓墣觀點】新世代記憶體是何方神聖,讓英特爾、三星、台積電 ...

MRAM 和RRAM 的特性為何,與DRAM、NAND(快閃記憶體)相比,又有什麼樣的效能與成本優勢?讓我們從MRAM 和RRAM 兩項技術看起。

http://technews.tw

【集邦點評】英特爾與三星推次世代記憶體MRAM量產,傳統記憶 ...

(source : Pixabay). 繼英特爾宣布MRAM準備進入量產,三星日前也發表公告將推出28nm的MRAM產品,隨著次世代記憶體MRAM的推出與量產, ...

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三星電子開始量產下一代存儲器MRAM - 科技產業資訊室 - 國家 ...

三星電子已開始使用代工製程生產磁阻隨機存取記憶體(MRAM:magnetoresistive random-access memory),這是未來的半導體之一,市場預 ...

http://iknow.stpi.narl.org.tw

全球首創,清大團隊突破MRAM 技術瓶頸| TechNews 科技新報

台灣科技部在14 日發表由清華大學團隊研發出的最新磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)技術,稱對半導體產業發展將有決定性的影響力。

https://technews.tw

台灣記憶體獨步全球:MRAM 技術瓶頸被清大團隊突破啦! - 報橘

然而,MRAM 卻有操作溫度的瓶頸,但是清大研究團隊近期突破這個瓶頸,讓台灣MRAM 技術領先全球,也讓記憶體與半導體產業技術往前邁進。

https://buzzorange.com

嵌入式MRAM和獨立式MRAM要分流了! - Digitimes

MRAM在嵌入式記憶體先馳得點,在28/22 nm中成為eFlash的替代,在7/5 nm世代也成為L3 cache的替代。能當成替代,自然在讀寫速度、功耗、 ...

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新型記憶體「PPT量產時代」宣告結束- EE Times Taiwan 電子 ...

以MRAM、ReRAM和PCRAM為代表的新型記憶體雖然能夠帶來獨特的優勢,但由於這些記憶體均採用新型材料,製造製程嚴苛,大規模量產的消息 ...

https://www.eettaiwan.com

磁阻式隨機存取記憶體- 維基百科,自由的百科全書 - Wikipedia

磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory,縮寫為MRAM),是一種非易失性記憶體技術,從1990年代開始發展。這個技術的擁護者認為, ...

https://zh.wikipedia.org