mobility量測
磁路模擬建置. 霍爾效應主要是在量測半導體載子濃度(Carrier Concentration)與遷移率(Mobility)，載子濃度是一個可以判斷材料本質是屬於導體、半導體與絕緣體的 ... ,利用 Van Der Pauw 四點探針法和霍爾效應(Hall effect)，量測半導體中多數載子濃度與遷移率μ (mobility) 。 The Van Der Pauw Method. Original paper by L. J. van ... ,我們利用飛. 行時間式電荷傳導測量系統(Time-of-Flight System) 量測. 有機薄膜中光載子的遷移率μ (mobility)，來研究perylene. 的衍生物(TBPe) 的載子傳輸特性。 ,Hall bar 通常為測量低電阻樣品的Mobility。 但要準確地量測每一個接點的寬度和距離對Hall bar 而言是困難的，而且要裁切成 ... ,本章節主要描述如何以van der Pauw 量測法，求得電阻率ρ. (resisitivity)、載子濃度n(carrier concentration)和遷移率μ. (mobility)。為了量測出遷移率和載子片濃度nS( ... ,載子遷移率及密度量測/ Microwave Hall Effect. 技術簡介： 微波霍爾量測系統是美國Lehighton Electronics Inc. 於2003 所開發的非接觸式載子遷移率及密度 ... Lehighton , LEI, Mobility, 非破壞式, Hall Effect , 霍爾量測, 載子遷移率, 載子密度, 片電阻. ,電流，將導體置於外加磁場中量測其感應霍爾電壓(Hall Voltage)來判斷傳導載子. 的極性與 ... 雜載子性質與濃度的量測上。 ... 而載子移動率(mobility)定義為. EV d /. ,effect)。此方式廣泛的被利用於半導體中參雜載子性質與濃度的量測上。 半導體: 一般的物質分為 ... 利用霍爾電壓求移動率（mobility）. 定義載子移動率p μ º x dx. E.
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