latch up概念

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latch up概念. Latch up 是指cmos晶片中,在电源power VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路。 26/1/2009 ... , 在晶片級Latch-up測試中,除電源和地之外的輸入輸出管腳都需要通過一定程度的負電流測試,這時晶片內部就會出現負電流。同時,由於晶片 ...,Latch-up是CMOS存在一種寄生電路的現象,它會導致將VDD和VSS短路,使得晶片損毀,或者停擺。這種效應是早期CMOS技術不能被接受的重要原因之一。 ,其實你仔細去看latch up的等效電路圖,不是有兩個bjt和兩顆電阻嗎,而那兩顆電阻的兩頭分別接到bjt的B和E,而Vbe正是影響bjt開關的關鍵,你 ... , 什麼是閂鎖效應(Latch Up Effect)呢? CMOS電路設計技術,已經變成電路設計上的主流創新技術。何謂CMOS電路呢? 就是利用互補式金屬層氧化 ..., 閂鎖效應(Latchup)是CMOS 積體電路(IC)產品的設計上一項常見的問 ... 本論文第四章提出了一新型設計概念命名為主動式防護環以及相關的., ,ESD 和相關的電壓瞬變都會引起閂鎖效應(latch-up)是半導體器件失效的主要原因之 ... Latch up 是指cmos晶片中, 在電源power VDD和地線GND(VSS)之間由於寄生 ... ,晶体管免于latch-up。 5. EPI wafer。这也是一个重要的概念,在heavy doped substrate 上面,加上一层轻微掺杂. 的EPI layer,这就是EPI wafer。当这层EPI layer ...

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latch up概念– EDLV

latch up概念. Latch up 是指cmos晶片中,在电源power VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路。 26/1/2009 ...

http://www.edlvdd.co

Latch-up測試中負電流的影響和防護- 每日頭條

在晶片級Latch-up測試中,除電源和地之外的輸入輸出管腳都需要通過一定程度的負電流測試,這時晶片內部就會出現負電流。同時,由於晶片 ...

https://kknews.cc

MOS元件原理及參數介紹@ 電動產業的世界:: 隨意窩Xuite日誌

Latch-up是CMOS存在一種寄生電路的現象,它會導致將VDD和VSS短路,使得晶片損毀,或者停擺。這種效應是早期CMOS技術不能被接受的重要原因之一。

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何謂latch Up?如何避免? - Layout設計討論區- Chip123 科技 ...

其實你仔細去看latch up的等效電路圖,不是有兩個bjt和兩顆電阻嗎,而那兩顆電阻的兩頭分別接到bjt的B和E,而Vbe正是影響bjt開關的關鍵,你 ...

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半導體積體電路測試技術部落格 - 白安鵬 - blogger

什麼是閂鎖效應(Latch Up Effect)呢? CMOS電路設計技術,已經變成電路設計上的主流創新技術。何謂CMOS電路呢? 就是利用互補式金屬層氧化 ...

http://ictesting-tom.blogspot.

國立交通大學

閂鎖效應(Latchup)是CMOS 積體電路(IC)產品的設計上一項常見的問 ... 本論文第四章提出了一新型設計概念命名為主動式防護環以及相關的.

http://www.ics.ee.nctu.edu.tw

逻辑电平之CMOS Latch up(3) | 电子创新网赛灵思中文社区

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閂鎖效應 - 華人百科

ESD 和相關的電壓瞬變都會引起閂鎖效應(latch-up)是半導體器件失效的主要原因之 ... Latch up 是指cmos晶片中, 在電源power VDD和地線GND(VSS)之間由於寄生 ...

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闩锁效应(latch up)

晶体管免于latch-up。 5. EPI wafer。这也是一个重要的概念,在heavy doped substrate 上面,加上一层轻微掺杂. 的EPI layer,这就是EPI wafer。当这层EPI layer ...

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