issg製程
2003年8月30日 — 應用材料公司的ISSG專利技術打破了傳統的熱氧化方法對產生STI內壁隔離層和犧牲氧化層的各種限制[10]，該技術僅在一個製程環節製作圍繞 ... ,此ISSG制程可使减少侧壁氧化层的应力与侵蚀的问题。因此可以确保有源区域的电性与有源区域之间的隔离品质。 为更清楚理解本发明的目的、特点 ... ,技術(in-situ steam generated, ISSG)之矽氧化物。亦可 ... 例如,氮化矽層的厚度可藉由消耗基於ISSG 砂氧化 ... 在一實施例中,蓋體層係藉由ISSG 製程形成。例如,矽 ... ,論文名稱: 臨場蒸氣產生技術(ISSG)應用於鎢奈米點非揮發性記憶體之研究 ... 在本論文中，一種新穎的溼式快速熱氧化製程叫作臨場蒸氣產生技術(ISSG)，被應用來 ... ,論文名稱: 臨場蒸氣產生技術(ISSG)應用於鎢奈米點非揮發性記憶體之研究 ... 在本論文中，一種新穎的溼式快速熱氧化製程叫作臨場蒸氣產生技術(ISSG)，被應用來 ... ,在本論文中，一種新穎的溼式快速熱氧化製程叫作臨場蒸氣產生技術(ISSG)，被應用來降低熱預算及抑制摻雜再分佈。另外，臨場蒸氣產生技術(ISSG)氧化過程中會 ... ,論文名稱(中文), 超薄閘極介電層與高介電閘極介電層於CMOS製程技術之研究 ... 而且ISSG二氧化矽也比乾式快速熱氧化法所長出之二氧化矽(dry RTO oxide)具有更 ... ,來形成奈米點，一般而言，大多數的方法都需要長時間高溫的熱製程，這個步驟 ... its quick oxidation rate, ISSG provides excellent quality of thin oxide and many.
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90nm技術前段製程面臨的挑戰分析 - 電子工程專輯.
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此ISSG制程可使减少侧壁氧化层的应力与侵蚀的问题。因此可以确保有源区域的电性与有源区域之间的隔离品质。 为更清楚理解本发明的目的、特点 ... https://patents.google.com Untitled
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論文名稱: 臨場蒸氣產生技術(ISSG)應用於鎢奈米點非揮發性記憶體之研究 ... 在本論文中，一種新穎的溼式快速熱氧化製程叫作臨場蒸氣產生技術(ISSG)，被應用來 ... https://ndltd.ncl.edu.tw 博碩士論文行動網 - 全國博碩士論文資訊網
論文名稱: 臨場蒸氣產生技術(ISSG)應用於鎢奈米點非揮發性記憶體之研究 ... 在本論文中，一種新穎的溼式快速熱氧化製程叫作臨場蒸氣產生技術(ISSG)，被應用來 ... https://ndltd.ncl.edu.tw 國立交通大學機構典藏：臨場蒸氣產生技術(ISSG)應用於鎢奈米 ...
在本論文中，一種新穎的溼式快速熱氧化製程叫作臨場蒸氣產生技術(ISSG)，被應用來降低熱預算及抑制摻雜再分佈。另外，臨場蒸氣產生技術(ISSG)氧化過程中會 ... https://ir.nctu.edu.tw 成功大學電子學位論文服務
論文名稱(中文), 超薄閘極介電層與高介電閘極介電層於CMOS製程技術之研究 ... 而且ISSG二氧化矽也比乾式快速熱氧化法所長出之二氧化矽(dry RTO oxide)具有更 ... http://etds.lib.ncku.edu.tw 臨場濕式氧化方法在金屬鎢奈米點非揮發性記憶體之製作與研究
來形成奈米點，一般而言，大多數的方法都需要長時間高溫的熱製程，這個步驟 ... its quick oxidation rate, ISSG provides excellent quality of thin oxide and many. https://ir.nctu.edu.tw |