臨場蒸氣產生技術issg

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臨場蒸氣產生技術issg

[0005] 一般而言,鳍状体是以在硅基板上蚀刻凹槽所形成,其采用临场蒸气产生技术(in — situ steam generation, ISSG)沿着凹槽边墙形成一内衬层氧化物,然后以 ... ,臨場蒸氣產生技術issg 話題討論、資訊整理文章, 應用材料公司的ISSG專利技術打破了傳統的熱氧化方法對產生STI內壁隔離層和犧牲氧化層的各種限制[...,軟體 ... ,在一實施例中,蓋體層包含臨場蒸氣產生. 技術(in-situ steam generated, ISSG)之矽氧化物。亦可. 使用其它蓋體材料。 在一實施例中,不同層的介電堆疊係以所需厚度 ... , 應用材料公司的ISSG專利技術打破了傳統的熱氧化方法對產生STI內壁隔離層和犧牲氧化層的各種限制[10],該技術僅在一個製程環節製作圍繞在STI通道上下角的原子氧基,並 ... in-situ steam generation (ISSG):現場蒸氣產生.,在本論文中,一種新穎的溼式快速熱氧化製程叫作臨場蒸氣產生技術(ISSG),被應用來降低熱預算及抑制摻雜再分佈。另外,臨場蒸氣產生技術(ISSG)氧化過程中會 ... ,論文名稱: 臨場蒸氣產生技術(ISSG)應用於鎢奈米點非揮發性記憶體之研究. 論文名稱(外文):, Study of In-Situ Steam Generation (ISSG) for Tungsten Nanocrystal ... ,標題: 臨場蒸氣產生技術(ISSG)應用於鎢奈米點非揮發性記憶體之研究. Study of In-Situ Steam Generation (ISSG) for Tungsten Nanocrystal Non-Volatile Memory. ,臨場濕式氧化方法是一種引入少許氫氣的濕式氧化過程,由於氫氣可以幫助產生更 ... 臨場蒸氣產生技術(ISSG)應用於鎢奈米點非揮發性記憶體之研究/ 粘文評;Nien, ...

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臨場蒸氣產生技術issg 相關參考資料
CN104008994A - 半导体装置的制造方法- Google Patents

[0005] 一般而言,鳍状体是以在硅基板上蚀刻凹槽所形成,其采用临场蒸气产生技术(in — situ steam generation, ISSG)沿着凹槽边墙形成一内衬层氧化物,然后以 ...

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臨場蒸氣產生技術issg 話題討論 - winXmac軟體社群

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在一實施例中,蓋體層包含臨場蒸氣產生. 技術(in-situ steam generated, ISSG)之矽氧化物。亦可. 使用其它蓋體材料。 在一實施例中,不同層的介電堆疊係以所需厚度 ...

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90nm技術前段製程面臨的挑戰分析 - 電子工程專輯.

應用材料公司的ISSG專利技術打破了傳統的熱氧化方法對產生STI內壁隔離層和犧牲氧化層的各種限制[10],該技術僅在一個製程環節製作圍繞在STI通道上下角的原子氧基,並 ... in-situ steam generation (ISSG):現場蒸氣產生.

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臨場蒸氣產生技術(ISSG)應用於鎢奈米點非揮發性記憶體之研究 ...

在本論文中,一種新穎的溼式快速熱氧化製程叫作臨場蒸氣產生技術(ISSG),被應用來降低熱預算及抑制摻雜再分佈。另外,臨場蒸氣產生技術(ISSG)氧化過程中會 ...

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論文名稱: 臨場蒸氣產生技術(ISSG)應用於鎢奈米點非揮發性記憶體之研究. 論文名稱(外文):, Study of In-Situ Steam Generation (ISSG) for Tungsten Nanocrystal ...

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國立交通大學機構典藏:臨場蒸氣產生技術(ISSG)應用於鎢奈米 ...

標題: 臨場蒸氣產生技術(ISSG)應用於鎢奈米點非揮發性記憶體之研究. Study of In-Situ Steam Generation (ISSG) for Tungsten Nanocrystal Non-Volatile Memory.

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臨場濕式氧化方法在金屬鎢奈米點非揮發性記憶體之製作與研究

臨場濕式氧化方法是一種引入少許氫氣的濕式氧化過程,由於氫氣可以幫助產生更 ... 臨場蒸氣產生技術(ISSG)應用於鎢奈米點非揮發性記憶體之研究/ 粘文評;Nien, ...

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