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6 Photolithography

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http://140.117.153.69

Lithography

波長. (nm). 所應用的. 圖形尺寸. (μm). G-line. 436. 0.50. 水銀燈. H-line. 405. I-line. 365. 0.35 to. 0.25. XeF. 351. XeCl. 308. 準分子雷. 射. KrF. (DUV). 248. 0.25 to.

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Re: [問題] 請問在無塵室的黃光下會曬黑嗎- 精華區Tech_Job ...

2008年2月3日 — 機台的光源波長由G-line(435nm).H-line(405nm).I-line(365nm)到KrF(248nm).ArF(193nm)準分子雷射都是在機台內部用FILTER過濾或附屬機台&nbsp;...

https://www.ptt.cc

TFT-LCDsensor integrating project - 黎明技術學院電機工程系

•g-line(436nm), h-line(405nm), i-line(365nm) Hg-Xe lamp. •KrF excimer laser (248nm) lithography. •ArF excimer laser (193nm) lithography. •F2(157nm) laser&nbsp;...

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什麼是G-line及I-line???? | Yahoo奇摩知識+

什麼是G-line及I-line????是一種能量嗎?? 麻煩幫忙解釋一下吧.......先謝謝大家.

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先進光學曝光系統與極紫外光(EUV)就? | Ansforce

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光阻劑 - Merck KGaA

G-、h- 和 i-line,加上寬頻輻射敏感性; 標準和厚膜光阻. 除了LED 製程外,您還可以將我們的光阻劑使用在許多其他領域,例如&nbsp;...

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曝光原理與曝光機

光阻(乾膜/濕膜)→曝光聚合(UV)→顯像(碳酸鈉). 曝光原理及製程. G-line: 436 nm. H-line: 405 nm. I-line: 365 nm. 18/50. 2007/4/10. 光阻反應機構. Sensitizer 光敏劑.

https://www.me.cycu.edu.tw

知識力 - Ansforce

2016年9月21日 — ... 以下,使用「汞燈(Mercury lamp)」發出紫外光,可以產生波長436nm的紫外光(G-line),405nm的紫外光(H-line)、365nm的紫外光(I-line)。

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雙面光罩對準曝光儀

曝光光源. UV. 350~450nm. G-line 436nm. G line 436nm. I-line 365nm. H li. 405. H-line 405nm. Deep UV 240nm. KrF. 248nm. ArF. 193nm. 共同貴重儀器中心. 9.

https://www.pisc.fcu.edu.tw