gettering半導體
電子/半導體. Gettering 吸氣。除氣。 指去除會造成元件特性不良影響的雜質、重金屬，或去除和缺陷相關之點缺陷等的作用。經過此作用後，可將晶圓表面的元件形成領域 ... ,2007年7月12日 — Gettering指去除會造成元件特性不良影響的雜質、重金屬，或去除和缺陷相關之點缺陷等的作用。經過此作用後，可將晶圓表面的元件形成領域，如同元件形成時加以 ... ,本發明是有關於一種半導體磊晶晶圓的製造方法、半導體磊晶晶圓及固體攝影元件的製造方法。本發明特別是有關於製造藉由發揮出更高的吸除(gettering)能力而可抑制金屬 ... ,經通在背面研磨加工製程中加入乾式拋光工程，除去因研磨加工而產生的研磨變質層，能夠進一步提高晶片的抗折強度。使用乾式拋光，主要可獲得以下3種效果。,所謂的吸雜效率(getter efficiency，GE)係指半導體晶圓塊體內的BMD缺陷使金屬雜質離開半導體晶圓表面的功效如何。若將特定量的金屬雜質，例如銅，經由背面擴散進入半導體晶圓 ... ,由 楊炳焜 著作 · 1996 — 參數,包括溫度循環提出討論。少數載子壽命及接面之漏電電流對隨機存取記憶體之重. 清時間和成品率之關係加以分析。 (關鍵字:本質吸引;成品率;剝蝕區).,半導體元件中對於良率的提升是一件很重要的課題，使用內質吸引預處理即俗稱的內質去疵法對晶片做預處理以提高其良率更值得重視了。 內質去疵法中有兩段式與三段式的處理 ... ,中文名称, 吸除 ; 英文名称, gettering ; 定义, 使晶片中有害杂质固定在远离器件有源区，以获得表面洁净区的工艺。 ; 应用学科, 材料科学技术（一级学科），半导体材料（二级学科）， ... ,由 楊子明 著作 · 2008 — 在本篇論文中，主要的研究是利用鎳捉聚(Ni-Gettering)技術製備高效能奈米線. (nanowire , NW)通道金屬誘發低溫複晶矽薄膜電晶體，並測量了它的特性。
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 gettering半導體 相關參考資料
Gettering 吸氣。除氣。
電子/半導體. Gettering 吸氣。除氣。 指去除會造成元件特性不良影響的雜質、重金屬，或去除和缺陷相關之點缺陷等的作用。經過此作用後，可將晶圓表面的元件形成領域 ... https://www.yesfund.com.tw Gettering - MoneyDJ理財網
2007年7月12日 — Gettering指去除會造成元件特性不良影響的雜質、重金屬，或去除和缺陷相關之點缺陷等的作用。經過此作用後，可將晶圓表面的元件形成領域，如同元件形成時加以 ... https://www.moneydj.com 半導體磊晶晶圓及固體攝影元件的製造方法
本發明是有關於一種半導體磊晶晶圓的製造方法、半導體磊晶晶圓及固體攝影元件的製造方法。本發明特別是有關於製造藉由發揮出更高的吸除(gettering)能力而可抑制金屬 ... https://patents.google.com 乾式拋光法(消除應力方法)
經通在背面研磨加工製程中加入乾式拋光工程，除去因研磨加工而產生的研磨變質層，能夠進一步提高晶片的抗折強度。使用乾式拋光，主要可獲得以下3種效果。 https://www.disco.co.jp TWI539041B - 單晶矽半導體晶圓及其製造方法
所謂的吸雜效率(getter efficiency，GE)係指半導體晶圓塊體內的BMD缺陷使金屬雜質離開半導體晶圓表面的功效如何。若將特定量的金屬雜質，例如銅，經由背面擴散進入半導體晶圓 ... https://patents.google.com 矽基法之本質吸引處理對半導體元件成品率之影響
由 楊炳焜 著作 · 1996 — 參數,包括溫度循環提出討論。少數載子壽命及接面之漏電電流對隨機存取記憶體之重. 清時間和成品率之關係加以分析。 (關鍵字:本質吸引;成品率;剝蝕區). https://irlib.isu.edu.tw 矽基法之內質去疵預處理對半導體元件良率之探討
半導體元件中對於良率的提升是一件很重要的課題，使用內質吸引預處理即俗稱的內質去疵法對晶片做預處理以提高其良率更值得重視了。 內質去疵法中有兩段式與三段式的處理 ... https://ndltd.ncl.edu.tw 吸除_百度百科
中文名称, 吸除 ; 英文名称, gettering ; 定义, 使晶片中有害杂质固定在远离器件有源区，以获得表面洁净区的工艺。 ; 应用学科, 材料科学技术（一级学科），半导体材料（二级学科）， ... https://baike.baidu.com 利用鎳捉聚技術製備高效能奈米線通道鎳金屬誘發低溫複晶 ...
由 楊子明 著作 · 2008 — 在本篇論文中，主要的研究是利用鎳捉聚(Ni-Gettering)技術製備高效能奈米線. (nanowire , NW)通道金屬誘發低溫複晶矽薄膜電晶體，並測量了它的特性。 https://ir.lib.nycu.edu.tw |