gettering半導體
半導體元件製程技術日益精密複雜，因此對於矽晶圓材料表面狀態之要求也隨之提高。以往0.25微米之製程只需一般拋光矽晶圓片(Polished ... 使用Annealed wafer製品之主要目的是為了消除晶圓表面及表層部的元件製作區域上之缺陷，並且具有很強之重金屬污染之捕獲(Gettering)能力。一般CMOS(Complementary Metal Oxide ... ,Defects, gettering effect. C content (ppma). < 0.3 (ASTM F123-74). Defcts. Structural characteristics. Dislocation etch pit density (defect/cm2). Crystal Oriented Particles (COP). < 0.13, Center cross, Edge exclusion 3 mm, Width 0.1mm. Junction leak,電子/半導體. Gettering 吸氣。除氣。 指去除會造成元件特性不良影響的雜質、重金屬，或去除和缺陷相關之點缺陷等的作用。經過此作用後，可將晶圓表面的元件形成領域，如同元件形成時加以潔淨化或無缺陷化，提升元件特性或元件製造之合格率。 相關字. n-type Semiconductor · p-type Semiconductor · 晶錠 · 類比IC · 記憶體. ,GETTERING 吸附“Gettering”系於半導體制程中，由於可能受到晶格缺陷（Crystal Defect）或金屬類雜質污染等之影響，造成元件介面之間可能有漏電流（Junction Leakage）存在，而影響組件特性；如何將這些晶格缺陷、金屬雜質摒除解決的種種技術上作法，就叫做”Gettering”吸附。吸附一般又可分“內部的吸附”---Intrinsic Gettering 及“ ... ,《半導體製造流程》. 半導體元件製造過程可概分為晶圓處理製程（Wafer Fabrication；簡稱Wafer. Fab）、晶圓針測製程（Wafer Probe）、構裝（Packaging）、測試製程（Initial Test .... 去疵（Gettering）. 利用噴砂法將晶圓上的瑕疵與缺陷感到下半層，以利往後的IC 製程。 拋光（Polishing）. 晶圓的拋光，依製程可區分為邊緣拋光與表面拋光兩種. ,=>denuded zone (?). 藉由高溫製程在晶圓表層形成一層低缺陷的區域 13.本質吸附 => intrinsic gettering. 以晶圓內部缺陷捕捉不純物(多為金屬)的技術 14.被面損傷(是“背” 吧) => backside damage. 刻意在晶圓背部形成缺陷以捕捉不純物(多為金屬)的技術 15.磊晶 => Epi-taxial. 在半導體材料上長一層相同或不同材料的單晶結構 16. ,國立交通大學工學院半導體材料與製程設備學程. 摘要 ...... 的半導體材料，能障高，移動率(mobility)低;所以使用複晶矽材料可以電晶體. 的驅動能力提升。複晶矽 ..... 1.9.4 捉聚(Gettering). 金屬雜質原子，一直是漏電流主要的來源，為了降低金屬雜質原子在. 元件上的電性傷害，捉聚(Gettering)方式也是研究方向之一，捉聚. (Gettering) ... ,外質吸除（extrinsic gettering, EG）：. – 於表面生成一層多晶矽. – 於晶圓背面形成氮化矽晶粒邊界. – 晶圓背面以機械方式摩擦. – 以雷射光束照射晶圓背面. – 離子植入晶圓背面. – 以磷擴散入晶圓背面. • 內質吸除（intrinsic gettering, IG）：. 以熱循環造成氧沉澱，使氧離開晶. 圓表面. • 化學吸除：使用氯化氫或三氯乙烯. 除去表面污染 ... ,出各式單晶晶圓產品，如：半導體矽晶圓、無線通訊藍寶石晶圓、光電產業之氧. 化物晶 ..... 熱處理（Annealing）以及去疵（Gettering）等製程，概述如下： .... 雖然半導體產業不. 斷地創新，但是矽晶圓的製造流程迄今並無太大變化。本章係針對矽晶圓製造過. 程中可能產生的廢棄物之種類予以說明，以供相關人員從事廢棄物清理或資源再. ,電子/半導體. Gettering 吸氣。除氣。 指去除會造成元件特性不良影響的雜質、重金屬，或去除和缺陷相關之點缺陷等的作用。經過此作用後，可將晶圓表面的元件形成領域，如同元件形成時加以潔淨化或無缺陷化，提升元件特性或元件製造之合格率。 相關字. 晶格常數 · 三氟化氮 · MOCVD · ASIC · HBT.
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 gettering半導體 相關參考資料
Annealed Wafer | 台塑勝高科技股份有限公司
半導體元件製程技術日益精密複雜，因此對於矽晶圓材料表面狀態之要求也隨之提高。以往0.25微米之製程只需一般拋光矽晶圓片(Polished ... 使用Annealed wafer製品之主要目的是為了消除晶圓表面及表層部的元件製作區域上之缺陷，並且具有很強之重金屬污染之捕獲(Gettering)能力。一般CMOS(Complementary Metal Oxide ... http://www.fstech.com.tw Chapter 4 Wafer Fabrication
Defects, gettering effect. C content (ppma). < 0.3 (ASTM F123-74). Defcts. Structural characteristics. Dislocation etch pit density (defect/cm2). Crystal Oriented Particles (COP). < 0.13, Center... http://waoffice.ee.kuas.edu.tw Gettering - 解釋頁
電子/半導體. Gettering 吸氣。除氣。 指去除會造成元件特性不良影響的雜質、重金屬，或去除和缺陷相關之點缺陷等的作用。經過此作用後，可將晶圓表面的元件形成領域，如同元件形成時加以潔淨化或無缺陷化，提升元件特性或元件製造之合格率。 相關字. n-type Semiconductor · p-type Semiconductor · 晶錠 · 類比I... https://www.moneydj.com SMIC工程師教材& 工程師筆記本-亨利- henryyeh # 天空部落TIAN #
GETTERING 吸附“Gettering”系於半導體制程中，由於可能受到晶格缺陷（Crystal Defect）或金屬類雜質污染等之影響，造成元件介面之間可能有漏電流（Junction Leakage）存在，而影響組件特性；如何將這些晶格缺陷、金屬雜質摒除解決的種種技術上作法，就叫做”Gettering”吸附。吸附一般又可分“內部的吸附”---Intrinsic Gettering 及“&nb... https://henryyeh.tian.yam.com 《半導體製造流程》
《半導體製造流程》. 半導體元件製造過程可概分為晶圓處理製程（Wafer Fabrication；簡稱Wafer. Fab）、晶圓針測製程（Wafer Probe）、構裝（Packaging）、測試製程（Initial Test .... 去疵（Gettering）. 利用噴砂法將晶圓上的瑕疵與缺陷感到下半層，以利往後的IC 製程。 拋光（Polishing）. 晶圓的拋光，依製程可區分為邊緣拋光... http://blog.ylsh.ilc.edu.tw 半導體的相關製程&解答.. | Yahoo奇摩知識+
=>denuded zone (?). 藉由高溫製程在晶圓表層形成一層低缺陷的區域 13.本質吸附 => intrinsic gettering. 以晶圓內部缺陷捕捉不純物(多為金屬)的技術 14.被面損傷(是“背” 吧) => backside damage. 刻意在晶圓背部形成缺陷以捕捉不純物(多為金屬)的技術 15.磊晶 => Epi-taxial. 在半導體材料上長... https://tw.answers.yahoo.com 國立交通大學機構典藏- 交通大學
國立交通大學工學院半導體材料與製程設備學程. 摘要 ...... 的半導體材料，能障高，移動率(mobility)低;所以使用複晶矽材料可以電晶體. 的驅動能力提升。複晶矽 ..... 1.9.4 捉聚(Gettering). 金屬雜質原子，一直是漏電流主要的來源，為了降低金屬雜質原子在. 元件上的電性傷害，捉聚(Gettering)方式也是研究方向之一，捉聚. (Gettering) ... https://ir.nctu.edu.tw 晶圓的製作
外質吸除（extrinsic gettering, EG）：. – 於表面生成一層多晶矽. – 於晶圓背面形成氮化矽晶粒邊界. – 晶圓背面以機械方式摩擦. – 以雷射光束照射晶圓背面. – 離子植入晶圓背面. – 以磷擴散入晶圓背面. • 內質吸除（intrinsic gettering, IG）：. 以熱循環造成氧沉澱，使氧離開晶. 圓表面. • 化學吸除：使用氯化氫或三氯乙烯. 除去表面污染... http://web.cjcu.edu.tw 矽晶圓製造業資源化應用技術手冊 - 臺灣大學圖書館＊公開取用電子書
出各式單晶晶圓產品，如：半導體矽晶圓、無線通訊藍寶石晶圓、光電產業之氧. 化物晶 ..... 熱處理（Annealing）以及去疵（Gettering）等製程，概述如下： .... 雖然半導體產業不. 斷地創新，但是矽晶圓的製造流程迄今並無太大變化。本章係針對矽晶圓製造過. 程中可能產生的廢棄物之種類予以說明，以供相關人員從事廢棄物清理或資源再. http://ebooks.lib.ntu.edu.tw 解釋頁
電子/半導體. Gettering 吸氣。除氣。 指去除會造成元件特性不良影響的雜質、重金屬，或去除和缺陷相關之點缺陷等的作用。經過此作用後，可將晶圓表面的元件形成領域，如同元件形成時加以潔淨化或無缺陷化，提升元件特性或元件製造之合格率。 相關字. 晶格常數 · 三氟化氮 · MOCVD · ASIC · HBT. https://feibfund.moneydj.com |