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技术背景在半导体铜(Cu)布线工艺中，为了进行铜薄膜的电镀，首先需要在阻挡层上沉积一层薄的铜籽晶层，然后再在Cu籽晶层上以电化学电镀(ECP)方法来生长出 ... , 銅種晶層在電化學電鍍法(ECP)或CVD沉積巨量銅(Bulk Copper)前，通常需要一個銅的濺鍍沉積程來沉積一層薄薄的種晶層以提供成核點以形成巨 ...,論文摘要在多層導體連線銅鑲嵌製程中，電鍍技術已經成為沉積銅導線的主要方法。 ... Electroplating (ECP) has been the leading method for Damascene Cu ... ,安全變更管理-以半導體廠電化學電鍍製程設備系統. 風管改置為例. Safety Management of Change – Case Study of Exhaust Retrofit at. ECP Process System in ... , 在Damascene制程中，ECP（electrofill copper plating，电镀）是其最重要的部分。ECP原理简单，但影响因素数较多，一般有电流、电镀时间、 ...,電化學電鍍(ECP: Electrochemical Plating)是將化學溶液電解質中的銅轉移到晶圓. 的表面(陰極),做出重複、無空洞、且能立即進行化學機械研磨的薄膜,以提供最大 ... ,銅電鍍/ECP (Electrical Copper Plating)，離子植入/IMP (Implantor)，物理氣相沉積/PVD (Phisical Vapor. Deposition)，快速熱處理/RTP (Rapid Thermal Process) ... ,CVD或電化學電鍍沉積法. • 退火製程通常是巨量銅沉積進行 ... 電化學電鍍法(ECP). • 老技術. • 仍然在硬體,玻璃,汽車, ... 銅電鍍製程. Wafer. 導電環,陰極. 塑膠製的 ...
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CN1308495C - 铜电镀薄膜方法- Google Patents
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銅種晶層在電化學電鍍法(ECP)或CVD沉積巨量銅(Bulk Copper)前，通常需要一個銅的濺鍍沉積程來沉積一層薄薄的種晶層以提供成核點以形成巨 ... https://blog.xuite.net 博碩士論文行動網 - 全國博碩士論文資訊網
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電化學電鍍(ECP: Electrochemical Plating)是將化學溶液電解質中的銅轉移到晶圓. 的表面(陰極),做出重複、無空洞、且能立即進行化學機械研磨的薄膜,以提供最大 ... http://www.tcvs.tc.edu.tw 第四章晶圓製造設備產業智慧資源規劃分析第一節智慧資本化
銅電鍍/ECP (Electrical Copper Plating)，離子植入/IMP (Implantor)，物理氣相沉積/PVD (Phisical Vapor. Deposition)，快速熱處理/RTP (Rapid Thermal Process) ... https://nccur.lib.nccu.edu.tw 金屬化製程
CVD或電化學電鍍沉積法. • 退火製程通常是巨量銅沉積進行 ... 電化學電鍍法(ECP). • 老技術. • 仍然在硬體,玻璃,汽車, ... 銅電鍍製程. Wafer. 導電環,陰極. 塑膠製的 ... http://140.117.153.69 |