ebi原理
... 对半导体器件的样品进行电压对比度检测,其原理是通过聚焦电子束(E-beam))轰击样品表面激发二次电子，由于受轰击处样品的材料特性决定了产生的二次电子的 ... ,We used electron beam (e-beam) inspection (EBI) systems to inspect nano imprint lithography (NIL) resist wafers with programmed defects. EBI with 10nm pixel ... , EBI與其他檢測方法一樣，需要對感興趣的重要缺陷(Defects of interest, DOI)具有較高的檢測靈敏度和穩定性。還可提供最低充電效應，並且僅包含 ...,EBI與其他檢測方法一樣，需要對感興趣的重要缺陷(Defects of interest, DOI)具有較高的檢測靈敏度和穩定性。還可提供最低充電效應，並且僅包含少量雜訊。然而很 ... ,电子束检测（Electrons Beam inspection，简称E-beam inspection、EBI），用 ... 其工作原理是利用电子束直射待测元件，大量的电子瞬间累积于元件中，改变了 ... ,电子束检测（Electrons Beam inspection，简称E-beam inspection、EBI），用于半导体元件的缺陷(defects)检验，以电性缺陷(Electrical defects)为主，形状 ... ,電子束檢測（Electrons Beam inspection，簡稱E-beam inspection、EBI），用 ... 其工作原理是利用電子束直射待測元件，大量的電子瞬間累積於元件中，改變了 ... , ,電子束檢測（Electrons Beam inspection，簡稱E-beam inspection、EBI），用於半導體元件的缺陷(defects)檢驗，以電性缺陷(Electrical defects)為主，形狀 ...
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