ddr3 vtt作用
一般情況下，DDR的數據線都是一驅一的拓撲結構，且DDR2和DDR3內部都有ODT做匹配，所以不需要拉到VTT做匹配即可得到較好的信號質量。, 具体为啥说不清，但是手册上一定是这样要求的。! [3 K; ]8 h! t/ c* Q* z2 K3 [7 - 并且VTT的匹配电阻一般都是接在除了DQ和DQS及时钟的所有信号， ..., DDR3的设计有着严格等长要求，归结起来分为两类（以64位的DDR3为例）： ... DDR3中有三类电源，它们是VDD（1.5V）、VTT（0.75V）、VREF（0.75V， ... 电源的Bulk电容一般在设计中起到的是储能滤波的作用，在做Fanout时要多打 ..., 下面，我们看看这种接口以更好的理解VREF和VTT的需要是什么 ... VDDM是IMX233中的电源管理模块引脚，作用是给DDR SDRAM提供2.5V的 ..., DDR3基本概念8 - 如何理解RTT和VTT ... DDR的VTT电源应用及其优化 ... 大体结构工作流程，这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用。, 对于DDR2和DDR3的电源设计，DDR SDRAM系统通常要求有三个电源， ... 的是SSTL电平，通过对SSTL电平的分析就可以知道VTT电源的作用了。, 一般情况下可以使用专门为DDR 设计的产生VTT 的电源芯片来满足 ... 的大体结构工作流程，这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用。, 一般情况下可以使用专门为DDR设计的产生VTT的电源芯片来满足要求。 ... 一个DDR3设计案例，来分析对比采用高阻抗负载走线和采用主线和负载走线 ... 匹配的好处是可以控制差分信号的上升沿缓度，对EMI可能会有一定的作用。, IC內部集成了兩種電壓VTT和VREF，其中VTT在重負載的情況下最高電流可 ... VTT並不端接時鐘信號線，時鐘信號線使用前面說的差分端接技術 ... 敷銅可以為這些高速信號提供屏蔽作用且將這些信號的輻射限制在兩個敷銅區域；5., 一般情況下可以使用專門為DDR設計的產生VTT的電源晶片來滿足要求。 ... 一個DDR3設計案例，來分析對比採用高阻抗負載走線和採用主線和負載走線 ... 匹配的好處是可以控制差分信號的上升沿緩度，對EMI可能會有一定的作用。
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一般情況下，DDR的數據線都是一驅一的拓撲結構，且DDR2和DDR3內部都有ODT做匹配，所以不需要拉到VTT做匹配即可得到較好的信號質量。 https://www.twblogs.net ddr3 有odt技术为什么在终端还是需要上拉电阻，就是那个vtt。菜鸟求解 ...
具体为啥说不清，但是手册上一定是这样要求的。! [3 K; ]8 h! t/ c* Q* z2 K3 [7 - 并且VTT的匹配电阻一般都是接在除了DQ和DQS及时钟的所有信号， ... https://www.eda365.com DDR3布线设计要点总结- 知乎
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