ddr3阻抗匹配
本文章主要涉及到对DDR2和DDR3在设计印制线路板（PCB）时，考虑信号完整性和 ... 在点对点的方式时，可以很容易的通过ODT的阻抗设置来做到阻抗匹配，从而 ... , DDR3 在布线中十分重要，它必须考虑阻抗匹配问题，通常单端为50Ω ，差分100Ω 。 图3 给出了DDR 及其去耦电容的最终布局，其中左图是顶层 ..., 首先要確定DDR的拓補結構，一句話，DDR1/2採用星形結構，DDR3採用菊花鏈結構。 ... 擺放完元器件，建議設定串聯匹配電阻的模擬模型，這樣對於後續的 ... DDR走線線寬與阻抗控制密切相關，經常可以看到很多同行做阻抗控制。, 该设计利用DDR3 SDRAM IBIS模型仿真来确定布线长度确保达到器件的 ... 所有的单端信号走线的阻抗匹配电阻为50 Ω；所有的差分信号终端阻抗 ...,此外，为了抑制反射，还需要传输线阻抗匹配，串连电阻匹配。这样的结果就是，在DDR的数据信号上，两端各有10～22ohm的串连电阻，靠近DDR端 ... , DDR3的设计有着严格等长要求，归结起来分为两类（以64位的DDR3为 ... 去耦电容来实现它的目标阻抗匹配；由于VTT是集中在终端的上拉电阻处， ...,SDRAM, DDR, DDR2, DDR3 是RAM 技术发展的不同阶段, 对于. 嵌入式系统来说, SDRAM ... l 电路板的阻抗控制在50~60ohm l 印制电路板的厚度选择 ... 的示意图，这在实际的layout 中长度匹配中常见，即使用蛇形走线来. 满足长度匹配，注意蛇形 ... , 擺放完元器件，建議設置串聯匹配電阻的仿真模型，這樣對於後續的布線 ... DDR走線線寬與阻抗控制密切相關，經常可以看到很多同行做阻抗控制。, 本章主要是講Hyperlynx單端線前仿真，這裡是以DDR3的IBIS模型為例來 ... 我們設計的目的就是為了儘量使源端、傳輸線和終端的阻抗匹配，這樣就 ..., 電路板的阻抗控制在50~60ohm. 印製電路板的厚度選擇為1.57mm(62mil). 填充材料Prepreg厚度可變化範圍是4~6mil. 電路板的填充材料的介電 ...
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