離子佈植模擬
製程步驟主要以矽晶圓作為基板，利用PECVD法在其上沉積約8μm的SiO2薄膜，再把高能量的鍺離子佈植到試片的表面，並由專門分析離子佈植的模擬軟體(TRIM) ... ,分子動力學模擬原子轟擊與離子佈植之物理機制研究. Physical mechanisms of atomic bombardment and ionic implantation using molecular dynamics simulations. ,... 層的遮罩特性 3.4 氧化層的品質 3.5 氧化層厚度的量測 3.6 氧化模擬 3.7 總結 第 ... 佈植 7.1 佈植離子射程 7.2 佈植損壞與退火 7.3 佈植相關製程 7.4 離子佈植模擬 ... ,國圖紙本論文. 研究生: 李育舟. 論文名稱: 離子佈植模擬與驗證. 論文名稱(外文):. 指導教授: 羅振基;陸續. 指導教授(外文):. 學位類別: 碩士. 校院名稱: 中正理工學院. ,吾人發展完成一種蒙地卡羅模擬程式, 可以用來決定非晶質單元素靶和多元素靶如金屬矽化物和氧化矽在離子植入過程中之離子射程分佈,同時,亦可求得多層靶中反彈 ... ,了解半導體廠中所使用離子植入器的相關知識，以及使. 用suprem軟體模擬離子植入對於矽晶片中的雜質分佈. 與濃度問題。 二.離子佈植法(ion implantation) : 離子佈 ... ,圖4-1.1、相同能量200 keV，不同金層厚度250 nm 及300 nm 所模擬. 之佈植氧離子路徑分佈圖…………………………………37. 圖4-1.2、200 keV 分別對250 nm ...
| 相關軟體 Android Studio 資訊 | |
|---|---|
 離子佈植模擬 相關參考資料
Airiti Library華藝線上圖書館_鍺離子佈植SiO2薄膜之非線性 ...
製程步驟主要以矽晶圓作為基板，利用PECVD法在其上沉積約8μm的SiO2薄膜，再把高能量的鍺離子佈植到試片的表面，並由專門分析離子佈植的模擬軟體(TRIM) ... http://www.airitilibrary.com 分子動力學模擬原子轟擊與離子佈植之物理機制研究 - Airiti ...
分子動力學模擬原子轟擊與離子佈植之物理機制研究. Physical mechanisms of atomic bombardment and ionic implantation using molecular dynamics simulations. https://www.airitilibrary.com 半導體製程概論 - 全華‧科友教育資源網
... 層的遮罩特性 3.4 氧化層的品質 3.5 氧化層厚度的量測 3.6 氧化模擬 3.7 總結 第 ... 佈植 7.1 佈植離子射程 7.2 佈植損壞與退火 7.3 佈植相關製程 7.4 離子佈植模擬 ... http://www.chwa.com.tw 博碩士論文行動網 - 全國博碩士論文資訊網
國圖紙本論文. 研究生: 李育舟. 論文名稱: 離子佈植模擬與驗證. 論文名稱(外文):. 指導教授: 羅振基;陸續. 指導教授(外文):. 學位類別: 碩士. 校院名稱: 中正理工學院. https://ndltd.ncl.edu.tw 國立交通大學機構典藏：離子佈植之蒙地卡羅模擬
吾人發展完成一種蒙地卡羅模擬程式, 可以用來決定非晶質單元素靶和多元素靶如金屬矽化物和氧化矽在離子植入過程中之離子射程分佈,同時,亦可求得多層靶中反彈 ... https://ir.nctu.edu.tw 崑山科技大學半導體技術模擬期末報告題目: 離子佈植-不同回火 ...
了解半導體廠中所使用離子植入器的相關知識，以及使. 用suprem軟體模擬離子植入對於矽晶片中的雜質分佈. 與濃度問題。 二.離子佈植法(ion implantation) : 離子佈 ... http://eportfolio.lib.ksu.edu. 東海大學物理學系碩士論文離子佈植引致的高溫超導約瑟芬接面 ...
圖4-1.1、相同能量200 keV，不同金層厚度250 nm 及300 nm 所模擬. 之佈植氧離子路徑分佈圖…………………………………37. 圖4-1.2、200 keV 分別對250 nm ... http://thuir.thu.edu.tw |