鑲嵌製程
一种在铜镶嵌制程中制作MIM电容器的方法；首先，形成第一介电层于半导体衬底上，且定义第一开口于第一介电层上中；接着，定义第一铜镶嵌结构于第一开口中，以 ... ,銅製程新挑戰從1998年IBM宣佈銅導線晶片製程技術，利用銅鑲嵌技術(Cu Damascene Technology)進行高效能晶片製作已不再是什麼新聞。目前晶片製造商正著力 ... ,低功率消耗，高速IC. ▫ 雙重金屬鑲嵌製程. ▫ 兩個介電質蝕刻製程，沒有金屬蝕刻. ▫ 使用金屬CMP取代金屬蝕刻. ▫ 主要挑戰：介電質蝕刻，金屬沉積和金屬研磨. ,論文名稱: 介層洞優先雙層鑲嵌製程之研究. 論文名稱(外文):, Study of via first dual damascene process. 指導教授: 林育賢;蔣富成. 指導教授(外文):, Lin Yu-Shian ... ,時間延遲。鑲嵌製程技術乃顛覆原以乾式蝕刻金屬導線後填充低介電質材料. 的傳統導線製程，而先將低介電質材料上製作出金屬導線的圖形(Pattern)後再. 沉積金屬。 ,如此只需一道金屬填充的步驟，可簡化製程，不過製程也較為複雜與困難。一般完整的雙鑲嵌製程為，先沉積介電層並以干蝕刻完成雙鑲嵌結構之圖型后，接著需沉積 ... ,如此只需一道金屬填充的步驟，可簡化製程，不過製程也較為複雜與困難。一般完整的雙鑲嵌製程為，先沉積介電層並以乾蝕刻完成雙鑲嵌結構之圖型後，接著需沉積 ... , 銅製程是用鑲嵌法.... 鋁製程的方式是先把沈積一層鋁在wafer表面... 再經由曝光,顯影,蝕刻把需要的pattern留下來.... 銅沒法經由這種傳統手法達成.,在過去10 年裏，以鑲嵌（Damascene）製程為. 主的銅製程，利用物理氣相沉積鉭（Ta）薄膜以及氮化. 鉭（TaN）薄膜組合為主要擴散阻障層，並以化學氣相. 沉積法製備 ...
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銅製程新挑戰從1998年IBM宣佈銅導線晶片製程技術，利用銅鑲嵌技術(Cu Damascene Technology)進行高效能晶片製作已不再是什麼新聞。目前晶片製造商正著力 ... http://www.hope.com.tw 半導體製程技術 - 聯合大學
低功率消耗，高速IC. ▫ 雙重金屬鑲嵌製程. ▫ 兩個介電質蝕刻製程，沒有金屬蝕刻. ▫ 使用金屬CMP取代金屬蝕刻. ▫ 主要挑戰：介電質蝕刻，金屬沉積和金屬研磨. http://web.nuu.edu.tw 博碩士論文行動網 - 臺灣博碩士論文檢索
論文名稱: 介層洞優先雙層鑲嵌製程之研究. 論文名稱(外文):, Study of via first dual damascene process. 指導教授: 林育賢;蔣富成. 指導教授(外文):, Lin Yu-Shian ... https://ndltd.ncl.edu.tw 國立交通大學機構典藏- 交通大學
時間延遲。鑲嵌製程技術乃顛覆原以乾式蝕刻金屬導線後填充低介電質材料. 的傳統導線製程，而先將低介電質材料上製作出金屬導線的圖形(Pattern)後再. 沉積金屬。 https://ir.nctu.edu.tw 大馬士革鑲嵌@ kodakku's Blog :: 痞客邦::
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在過去10 年裏，以鑲嵌（Damascene）製程為. 主的銅製程，利用物理氣相沉積鉭（Ta）薄膜以及氮化. 鉭（TaN）薄膜組合為主要擴散阻障層，並以化學氣相. 沉積法製備 ... http://www.ndl.org.tw |