空乏區寬度濃度
ni及pi代表純半導體中之導電電子及電洞的濃度，稱本質濃度(或固有 ... 空乏區上的電位差Vt稱為內建電壓(built-in voltage)，又稱為切入電壓、障壁電壓、位障電壓 ... ,於是，N型半導體就成為了含自由電子濃度較高的半導體，其導電性主要是因為自由電子導電。 ... 空乏區的電場與電子與電洞的擴散過程相反，阻礙進一步擴散。載子濃度 ... 它與PN接面面積、空乏層寬度、半導體介電常數和外加電壓都有關係。 ,電洞力學能. 能量愈高，分. 布機率愈低. 擴散電洞流. 漂移電洞流. 電洞濃度 pp0=NA. kT. qV p ... 複電場及電位的計算可得，內建電位和空乏區寬度的三次方成正比。 ,A. 接面與空乏區(Junction and depletion region) ... +. = +. = xd 空乏區寬度 ... 電洞力學能. 能量愈高，分. 布機率愈低. 擴散電洞流. 漂移電洞流. 電洞濃度 p p0. =N. A. ,空乏區的寬度和PN兩材料的摻雜濃度成反比（即材料的雜質濃度越高空乏區就越薄）。 矽質的障壁電為約為0.6或0.7、鍺質約為0.2或0.3。 障壁電壓會隨溫度的上升 ... ,空乏層（英語：depletion region），又稱空乏區、阻擋層、勢壘區（barrier ... 空乏層的寬度與材料本身性質、溫度以及偏壓電壓的大小有關。 ... 在PN接面中，由於載子濃度的梯度，電洞、電子會通過擴散作用的形式分別向摻雜濃度低的N區、P區 ... ,2016年9月25日 — 由於兩者的載子分佈不均，會形成電子和電洞的濃度差距，造成擴散 ... 圖三、空乏區寬度變化(a) 未加入偏壓(b) 加入正偏壓(c) 加入負偏壓。 ,Wp. ：. 接. 面處深入. P. 型的空乏深度. 故. ND Wn ﹦NA Wp. 可知：所摻雜濃度與空乏區寬度成反比，. 摻雜濃度越高，該側寬度越窄. (空乏區整個寬度約0.5~1μm). ,Q: 空乏區總是像前頁圖示的那樣對稱嗎. ▫ A: 答案是否定的，因為通常NA. > ND. ▫ 由於NA. 與ND. 的摻雜濃度通常是不相等的，接面兩側. 上空乏區的寬度也不會 ... ,電子/電路標題:二極體的空乏區寬度. 1:陳易辰榮譽點數4點(大學)張貼:2007-05-06 23:14:15: 今天看電子學的時候想到以前老師講若在二極體接上順向或逆向偏壓則 ...
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P-N接面理論
ni及pi代表純半導體中之導電電子及電洞的濃度，稱本質濃度(或固有 ... 空乏區上的電位差Vt稱為內建電壓(built-in voltage)，又稱為切入電壓、障壁電壓、位障電壓 ... http://vision.taivs.tp.edu.tw PN接面- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
於是，N型半導體就成為了含自由電子濃度較高的半導體，其導電性主要是因為自由電子導電。 ... 空乏區的電場與電子與電洞的擴散過程相反，阻礙進一步擴散。載子濃度 ... 它與PN接面面積、空乏層寬度、半導體介電常數和外加電壓都有關係。 https://zh.wikipedia.org 三、二極體原理及電路模型
電洞力學能. 能量愈高，分. 布機率愈低. 擴散電洞流. 漂移電洞流. 電洞濃度 pp0=NA. kT. qV p ... 複電場及電位的計算可得，內建電位和空乏區寬度的三次方成正比。 http://140.120.11.1 二極體原理
A. 接面與空乏區(Junction and depletion region) ... +. = +. = xd 空乏區寬度 ... 電洞力學能. 能量愈高，分. 布機率愈低. 擴散電洞流. 漂移電洞流. 電洞濃度 p p0. =N. A. http://ezphysics.nchu.edu.tw 半導體特性
空乏區的寬度和PN兩材料的摻雜濃度成反比（即材料的雜質濃度越高空乏區就越薄）。 矽質的障壁電為約為0.6或0.7、鍺質約為0.2或0.3。 障壁電壓會隨溫度的上升 ... http://ep.ltivs.eportfolio.cc 空乏層- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
空乏層（英語：depletion region），又稱空乏區、阻擋層、勢壘區（barrier ... 空乏層的寬度與材料本身性質、溫度以及偏壓電壓的大小有關。 ... 在PN接面中，由於載子濃度的梯度，電洞、電子會通過擴散作用的形式分別向摻雜濃度低的N區、P區 ... https://zh.wikipedia.org 空乏層| 科學Online
2016年9月25日 — 由於兩者的載子分佈不均，會形成電子和電洞的濃度差距，造成擴散 ... 圖三、空乏區寬度變化(a) 未加入偏壓(b) 加入正偏壓(c) 加入負偏壓。 https://highscope.ch.ntu.edu.t 第二章
Wp. ：. 接. 面處深入. P. 型的空乏深度. 故. ND Wn ﹦NA Wp. 可知：所摻雜濃度與空乏區寬度成反比，. 摻雜濃度越高，該側寬度越窄. (空乏區整個寬度約0.5~1μm). http://portal.ptivs.ptc.edu.tw 電子學與半導體
Q: 空乏區總是像前頁圖示的那樣對稱嗎. ▫ A: 答案是否定的，因為通常NA. > ND. ▫ 由於NA. 與ND. 的摻雜濃度通常是不相等的，接面兩側. 上空乏區的寬度也不會 ... http://aries.dyu.edu.tw 高中物理教材內容討論:二極體的空乏區寬度
電子/電路標題:二極體的空乏區寬度. 1:陳易辰榮譽點數4點(大學)張貼:2007-05-06 23:14:15: 今天看電子學的時候想到以前老師講若在二極體接上順向或逆向偏壓則 ... http://www.phy.ntnu.edu.tw |