接面定律
依質量作用定律得知 ... 1-2 P-N接面之特性與變化 ... 帶電離子在接面附近產生一電場，此一電場會排斥少數載子，P型半導體內的負離子會排斥P型內的少數載子 ... ,一塊半導體晶體一側摻雜成P型半導體，另一側摻雜成N型半導體，中間二者相連的接觸面稱為PN接面（英語：p-n junction）。PN接面是電子技術中許多元件， ... ,《STUST OCW》電子學(一) 1-2_pn接面(pn Junction)_Part1. 10,062 views10K views ... ,上式說明了np 之乘積與距離無關，此即所謂之質量作用定律(Mass Action Law)。 Page 10. 斷路的pn 接面. ◇ 當一塊半導體單晶之一 ... ,進行數值模擬計算熱平衡下的能帶結構、空乏區長度、接面內電場、接面電容、 ... 半導體工業中摩爾定律(Moor Law)的經驗法則預示，到2015 年，一個晶片. ,在電子電路中使用的二極體(diode)種類很多，我們主要先介紹pn 接面二極體的 ... 中的施子離子指向p 型區中的受子離子，實際的電場分布可以利用高斯定律求出。 ,2016年11月10日 — 在不施加任何外加電壓的情況下，二極體中pn 接面(pn junction) 的兩側，會因電子電洞濃度差異的關係，產生擴散的現象，使得p 中的電洞向n ... ,2016年9月25日 — 但是當pn 接面形成時，由於自由電子跟電洞的流動，會使得原本電中性的p 型半導體在接面附近因為聚集額外的電子而帶有「負電性」，而n 型 ... ,可看成另一形式的歐姆定律。 Example 1.3：求 ... 在pn 接面兩邊造成正負電離子分離與對立，形成內部電場 ... IS 為反向飽和電流，與摻雜濃度及接面截面積有關。
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 接面定律 相關參考資料
P-N接面理論
依質量作用定律得知 ... 1-2 P-N接面之特性與變化 ... 帶電離子在接面附近產生一電場，此一電場會排斥少數載子，P型半導體內的負離子會排斥P型內的少數載子 ... http://vision.taivs.tp.edu.tw PN接面- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
一塊半導體晶體一側摻雜成P型半導體，另一側摻雜成N型半導體，中間二者相連的接觸面稱為PN接面（英語：p-n junction）。PN接面是電子技術中許多元件， ... https://zh.wikipedia.org 《STUST OCW》電子學(一) 1-2_pn接面(pn Junction) - YouTube
《STUST OCW》電子學(一) 1-2_pn接面(pn Junction)_Part1. 10,062 views10K views ... https://www.youtube.com 半導體物理與pn 接面二極體元件分析
上式說明了np 之乘積與距離無關，此即所謂之質量作用定律(Mass Action Law)。 Page 10. 斷路的pn 接面. ◇ 當一塊半導體單晶之一 ... http://ocw.ksu.edu.tw 國立交通大學機構典藏- 交通大學
進行數值模擬計算熱平衡下的能帶結構、空乏區長度、接面內電場、接面電容、 ... 半導體工業中摩爾定律(Moor Law)的經驗法則預示，到2015 年，一個晶片. https://ir.nctu.edu.tw 接面二極體的電流
在電子電路中使用的二極體(diode)種類很多，我們主要先介紹pn 接面二極體的 ... 中的施子離子指向p 型區中的受子離子，實際的電場分布可以利用高斯定律求出。 http://www.mse.fcu.edu.tw 正向偏壓| 科學Online
2016年11月10日 — 在不施加任何外加電壓的情況下，二極體中pn 接面(pn junction) 的兩側，會因電子電洞濃度差異的關係，產生擴散的現象，使得p 中的電洞向n ... https://highscope.ch.ntu.edu.t 空乏層| 科學Online
2016年9月25日 — 但是當pn 接面形成時，由於自由電子跟電洞的流動，會使得原本電中性的p 型半導體在接面附近因為聚集額外的電子而帶有「負電性」，而n 型 ... https://highscope.ch.ntu.edu.t 第1 章半導體材料與特性講義與作業Example 1.1：
可看成另一形式的歐姆定律。 Example 1.3：求 ... 在pn 接面兩邊造成正負電離子分離與對立，形成內部電場 ... IS 為反向飽和電流，與摻雜濃度及接面截面積有關。 http://eportfolio.lib.ksu.edu. |