硬遮罩
在第一步的黃光微影製程中，將定義矽晶直通孔的蝕刻遮罩層圖案化，這裡可以直接 ... 遮罩層，或是選擇SiO2、Si3N4 來當作硬式遮罩層(Hard Mask)，而硬式遮罩 ... ,SiO2 hard mask. Photolithography. ICP RIE (Dry etch). BOE wet etching. KOH wet etching. SiO2 passivation. 基板採用Si(100)基板，. 由於KOH對Si不同方向. 蝕刻 ... ,本文之技術包括了在聚合氟碳電漿中可控制性橫向蝕刻介電層的方法。此方法可包括使用遮罩修整步驟作為一部分矽蝕刻製程的介電層堆疊蝕刻。使用氟碳混合物 ... ,的硬遮罩體? S2'. 在兩個包含數個內. 核體的第二區域上. 覆蓋第二光阻. 去除該些內核體,使得. 該些間隙聲體在該硬遮. 單層上呈間隔排列. 以該些間隙壁體為遮罩. ,接著,藉由蝕刻硬遮罩層之暴露區域,而將光阻層的圖案轉移. 至硬遮罩層中。而後,硬遮罩層作為蝕刻半導體基板過程中的遮罩。 可藉由各種方法,包含乾式蝕刻、 ... ,利用化學氣相沉積1um的二氧化矽作為矽基板的硬遮罩(Hard Mask)，再利用曝光微影技術和電感耦合式乾蝕刻將所需圖形定義在(100)、(110)、(111)方向的Si基板 ... ,2011年4月28日 — 此材料兼具有機與無機兩種性質，可在矽晶圓等表面形成高機械強度之薄膜。有機聚合物系絕緣材料由於蝕刻特性不同，故可作為硬遮罩(hard mask) ... ,2015年5月20日 — 新聞聯絡人:台灣應用材料公司譚鳳珠聯絡電話:03-579-3958e-mail: [email protected]發稿日期:民國104年5月20日 全新硬遮罩技術可支援10 ... ,旋轉塗佈硬遮罩材料被廣泛用作犧牲層，以進行高解析度的圖案轉印，並在多種圖案化技術中作為蝕刻停止層或記憶層。相較於薄膜形成的一般CVD 製程，旋塗式 ...
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SiO2 hard mask. Photolithography. ICP RIE (Dry etch). BOE wet etching. KOH wet etching. SiO2 passivation. 基板採用Si(100)基板，. 由於KOH對Si不同方向. 蝕刻 ... http://www.me.ntu.edu.tw TW201517168A - 橫向修整硬遮罩的方法- Google Patents
本文之技術包括了在聚合氟碳電漿中可控制性橫向蝕刻介電層的方法。此方法可包括使用遮罩修整步驟作為一部分矽蝕刻製程的介電層堆疊蝕刻。使用氟碳混合物 ... https://patents.google.com Untitled
的硬遮罩體? S2'. 在兩個包含數個內. 核體的第二區域上. 覆蓋第二光阻. 去除該些內核體,使得. 該些間隙聲體在該硬遮. 單層上呈間隔排列. 以該些間隙壁體為遮罩. https://patentimages.storage.g Untitled - 國立交通大學機構典藏
接著,藉由蝕刻硬遮罩層之暴露區域,而將光阻層的圖案轉移. 至硬遮罩層中。而後,硬遮罩層作為蝕刻半導體基板過程中的遮罩。 可藉由各種方法,包含乾式蝕刻、 ... https://ir.nctu.edu.tw 乾蝕刻 - 台大機械系
利用化學氣相沉積1um的二氧化矽作為矽基板的硬遮罩(Hard Mask)，再利用曝光微影技術和電感耦合式乾蝕刻將所需圖形定義在(100)、(110)、(111)方向的Si基板 ... http://www.me.ntu.edu.tw 兼具低誘電率與高耐熱性之全新絕緣膜材料：材料世界網
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2015年5月20日 — 新聞聯絡人:台灣應用材料公司譚鳳珠聯絡電話:03-579-3958e-mail: [email protected]發稿日期:民國104年5月20日 全新硬遮罩技術可支援10 ... https://www.appliedmaterials.c 旋轉塗佈硬遮罩 - Merck KGaA
旋轉塗佈硬遮罩材料被廣泛用作犧牲層，以進行高解析度的圖案轉印，並在多種圖案化技術中作為蝕刻停止層或記憶層。相較於薄膜形成的一般CVD 製程，旋塗式 ... https://www.merckgroup.com |