矽蝕刻
利用氨水之弱鹼性活化矽晶圓及微粒子表面，使晶圓表面與微粒子間相互排斥，進而達到洗淨目的；雙氧水也可將矽晶圓表面氧化，藉由氨水對二氧化矽的微蝕刻達到 ... ,矽可以使用硝酸與氫氟酸的混合溶液來進行去除。 Si+HNO. 3. +6HF =>H. 2. ,Etching Chemistry. ▫ CF. 4. 為常用之氟來源. ▫ NF. 3. 和SF. 6. 也被使用 epi矽蝕刻. • HBr 為主要蝕刻劑; SiBr4. Cl + Si → SiCl4. Poly 矽蝕刻. 金屬層: TiN/Al•Cu/Ti. ,一般矽結構的非等向蝕刻以氮化矽(LPCVD SiNy)作為蝕刻遮罩，因氮化矽. 幾乎不會受到TMAH 與KOH 的蝕刻，但在遮罩圖形轉移方面需以反應式離子蝕刻(RIE). 為之 ... ,選擇性蝕刻是將光阻上的IC設計圖案轉移到晶圓表面. ▫ 其他的應用: ... 測量在蝕刻製程中物質倍從晶圓移除的速率有多快. d = d. 0. - d ... BOE: 緩衝二氧化矽蝕刻. ,單晶矽擁有極佳之物理特性，利用上述高深寬比Bosch. 製程與離子蝕刻之等向性蝕刻來製作懸浮的微結構，可以實現機械性能絕佳的微型致動器等. 微機電元件。光 ... ,矽溼式蝕刻技術. Silicon Wet Etching Techniques. 台灣師範大學機電科技學系. C. R. Yang, NTNU MT. -2-. 體型微加工技術(bulk micromachining). 體型微機械加工 ... ,一般情況下可提供高蝕刻速率(在預定時間內去除的材料量)。 製程所用化學物質取決於要蝕刻的薄膜類型。介電蝕刻應用中通常使用含氟的化學物質。矽和 ... ,要蝕刻, 氧化膜的蝕刻速率. 是0.40μm/min, 氧化膜對矽的蝕刻選擇比為25比1, 如果. 三分鐘後停止蝕刻, 試問會有多少下層的Si被蝕刻掉? min/. 016.0 m r. Si μ. = ⇒. ,選擇性蝕刻將IC光阻上的設計圖形轉移至晶圓表面層. 蝕刻輪廓. 光阻. 光阻. 薄膜 ... 也被使用 epi矽蝕刻. • HBr 為主要蝕刻劑; SiBr4. Cl + Si →. SiCl4. Poly 矽蝕刻.
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