koh蝕刻
被蝕刻掉，而造成尺寸. 誤差。 SiO2 hard mask. Photolithography. ICP RIE (Dry etch). BOE wet etching. KOH wet etching. SiO2 passivation. 基板採用Si(100)基板 ... ,使用hard mask 避免在濕蝕刻時，將所要保留的圖形被蝕刻掉，而造成尺寸誤差。 SiO2 hard mask. Photolithography. ICP RIE (Dry etch). BOE wet etching. KOH wet ... ,傳統上，利用氫氧化鉀(KOH). 於矽晶片上產生非等向性蝕刻，以製作金字塔抗反射結構。由於，. 反應進行時會於矽晶片表面釋放出氫氣，所以通常會於溶液中加入. 異 ... ,由 JS Wang 著作 · 2007 — 傳統上，利用氫氧化鉀(KOH). 於矽晶片上產生非等向性蝕刻，以製作金字塔抗反射結構。由於，. 反應進行時會於矽晶片表面釋放出氫氣，所以通常會於溶液中加入. 異 ... ,[100]. [111]. SiO2 或Si3N4. <100>矽晶片. SiO2. 或Si3N4. 矽晶圓. 非等向性溼式蝕刻. 蝕刻液. 鹼性溶液： KOH 、NaOH 等. 有機溶液： EDP、N2H4 、TMAH等 ... ,由 林廷政 著作 · 2003 — 以蝕刻矽的溶液來說，最常使用的應該就是KOH。而KOH和TMAH. 對矽基材所進行的蝕刻都是一種非等向性蝕刻。不同的濃度，不同的溫度，. 對不同的方向具有 ... ,非等向性蝕刻常被用來作為微系統的結. 構製作，在矽晶圓（Silicon Wafer）上製作出三次元. 的微結構，如島塊（Mesa）、懸樑（Cantilever Beam）、. 薄膜（ ... ,MEMS材料與常用之蝕刻液. ▫ Si (Single-Crystal Silicon, Polysilicon). > Anisotropic etching: KOH (Potassium Hydroxide), EDP (Ethylene-. Diamine Pyrocatecol) ... ,利用KOH對矽不同晶向具有不同蝕刻率的特性，我們可以製作出3D結構基板，並探討KOH蝕刻不同晶向矽所得到結構進行討論出並得到理想結構。 第三章主要介紹 ... ,對於KOH 溶液在不同的溫度、. 時間下會有不同的蝕刻速率等製程參數進行研究，並成功製作出面. 積為20 X 20μm的金字塔結構，另外在基材上鍍上二氧化矽和氮化.
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