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本系統為「非等向性乾式蝕刻機」，具有下列特性：. (1) 具有能夠蝕刻GaN具高準值性(>85°)，蝕刻率> 0.3 μm/min.。 (2) 滿足破片與最大4吋的III-V族晶圓蝕刻需求。 ,儀器中文名稱：感應耦合電漿放射光譜儀 儀器英文名稱：INDUCTIVELY COUPLED PLASMA OPTICAL EMISSION SPECTROMETER 儀器英文簡稱：ICP-OES ... ,分析原理：. 利用氬電漿所產生的高能量讓樣品同時進行乾燥、原子化及離子化，搭配惰性氣體碰撞系統及配有氧氣、氨氣與甲烷的氣體反應系統去除基質干擾，再經由 ... ,儀器中文名稱：感應耦合電漿質譜分析儀 儀器英文名稱：INDUCTIVELY COUPLED PLASMA-MASS SPECTROMETER 儀器英文簡稱：ICP-MS ... ,儀器中文名稱：感應耦合電漿質譜分析儀 儀器英文名稱：INDUCTIVELY COUPLED PLASMA-MASS SPECTROMETER 儀器英文簡稱：ICP-MS ... ,清華大學. 清華大學原子科系710 室. 儀器指導教授：王竹方教授. 電話：(03)571-5131 ... ICP－MS 最常用於液體樣品的分析。如. 所送樣品固體時，委託分析人需另外付. ,感應耦合電漿質譜儀(ICP-MS). 醫環系. 醫環710室. 35416/35463. 張文峰. 場發射電子微探儀(FE-EPMA). 材料系. 材料科技館129室. 35414. 蔡淑月. X光粉末繞射 ... ,國立清華大學研究中心. ... 感應耦合電漿式離子蝕刻機(ICP-400IP) (III-V) · 非等向性離子反應式深矽蝕刻系統（Deep RIE） · 金屬反應離子蝕刻系統（Metal RIE-200L）. ,[ 2019-03-07 ] 本中心於實驗完成日「次月5日」寄發繳款通知單，遇假日順延。 [ 2019-03-07 ] X光單晶繞射儀(SXRD)儀器異常公告. [ 2019-02-13 ] 本中心於和平紀念日 ... ,儀器設備說明：. 儀器開放年度：2009年; 儀器經費來源：科技部/國立清華大學. 廠牌及型號. HPLC 部份: VARIAN ( ProStar 210 Solvent Delivery Module ) ( ProStar ...
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