淺溝渠隔離

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淺溝渠隔離

在次90奈米元件技術節點上,淺溝渠隔離(STI)之使用已變的更具挑戰性了,其中一個主要的挑戰是來自於隨著STI之縮小而要處理STI製程所導致的機械應力 ... , 在本篇論文中,我們提出了一個方法來定性研究淺溝渠隔離氧化層上的陷阱電荷分佈以及其對元件可靠性的影響。這個方法利用元件在長時間操作下 ...,離子的水平擴散、小尺寸場氧化層的薄化效應,又具備小尺寸隔離線寬能力,明顯的主動隔離區隔劃分,均勻的隔離區深度、絕佳的隔離區平坦架構等特性。淺溝渠隔離是 ... ,區域性氧化隔離製程與淺溝渠隔離製程對閘極氧化層特性的影響摘要本論文中探討區域氧化隔離與淺溝渠隔離製程對閘極氧化層的影響。在區域氧化隔離製程中,鳥嘴 ... ,高壓半導體元件淺溝槽隔離製程之差排改善及良率提昇研究. Dislocation Improvement and Yield Enhancement for the Process of the Shallow Trench Isolation of ... ,區域氧化隔離技術(LOCOS)為最廣泛使用的隔絕技術,但當元件通道長度降至0.25微米以下時,傳統的區域氧化隔離技術(LOCOS)已經被淺溝渠隔離技術(Shallow ... ,在本篇論文中,我們提出了一個方法來定性研究淺溝渠隔離氧化層上的陷阱電荷分佈以及其對元件可靠性的影響。這個方法利用元件在長時間操作下,例如:用加溫 ... ,而通道的隔離技術以淺溝槽隔離製程取代傳統LOCOS方式,以滿足高積成密度的要求。本論文主要是研究因淺溝槽隔離製程所衍生出來的氣泡缺陷,及運用兩種方法 ... ,淺溝渠隔離技術(Shallow Trench Isolation, STI)為先進IC奈米晶片製程中的關鍵技術。以化學機械研磨技術進行溝渠隔離氧化矽之回蝕面臨相當嚴苛的製程要求。 ,淺溝渠隔離結構的製造方法. 地址:新竹縣竹東鎮三重里中興路二段120號 電話:(03)5636688 Ext:7125159 或(03)6665159 傳真:(03)5637525 電子信箱: 得獎作品 ...

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深次微米矽製程技術

離子的水平擴散、小尺寸場氧化層的薄化效應,又具備小尺寸隔離線寬能力,明顯的主動隔離區隔劃分,均勻的隔離區深度、絕佳的隔離區平坦架構等特性。淺溝渠隔離是 ...

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區域氧化隔離製程及淺溝渠隔離製程對閘極氧化層特性之 ... - 國家圖書館

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第一章導論 - 國立交通大學機構典藏

高壓半導體元件淺溝槽隔離製程之差排改善及良率提昇研究. Dislocation Improvement and Yield Enhancement for the Process of the Shallow Trench Isolation of ...

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國立交通大學機構典藏:淺溝渠隔離氧化層對三維閘極電晶體的可靠性影響

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而通道的隔離技術以淺溝槽隔離製程取代傳統LOCOS方式,以滿足高積成密度的要求。本論文主要是研究因淺溝槽隔離製程所衍生出來的氣泡缺陷,及運用兩種方法 ...

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淺溝渠元件隔離技術現況與挑戰:材料世界網

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經濟部智慧財產局-發明獎-淺溝渠隔離結構的製造方法

淺溝渠隔離結構的製造方法. 地址:新竹縣竹東鎮三重里中興路二段120號 電話:(03)5636688 Ext:7125159 或(03)6665159 傳真:(03)5637525 電子信箱: 得獎作品 ...

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