扭結效應
在本篇論文中，我們將探討在矽在絕緣層上(SOI) 中利用扭結效應(Kink effect) 改變臨界電壓(Threshold Voltage) 的特性來製作一個單電晶體動態隨機存取記憶體的 ... ,通道中所衍生出來的〝自體加熱效應〞及有效消除因撞擊游離(impact ionization)在輸出特性曲所造成的扭結(kink)現象，提高元件崩潰電壓與可靠. 度。雖然趨動電流 ... ,通道中所衍生出來的〝自體加熱效應〞及有效消除因撞擊游離(impact ionization)在輸出特性曲所造成的扭結(kink)現象，提高元件崩潰電壓與可靠. 度。雖然趨動電流 ... ,在本篇論文中，我們將探討在矽在絕緣層上(SOI) 中利用扭結效應(Kink effect) 改變臨界電壓(Threshold Voltage) 的特性來製作一個單電晶體動態隨機存取記憶體的 ... ,良出新穎式的結構，好因應高接面電場所帶來許多的不理想效應，而. 多閘極薄膜電 ..... current effect)、熱載子效應(hot carrier effect)以及扭結效應(kink effect). 都與汲 ... ,它也造成历史效应（英语：history effect），即晶体管与之前状态阈值电压有关的效应。在模拟电路器件中，浮体效应被称作扭结效应（英语：Kink effect）。 ,它也造成歷史效應（英語：history effect），即電晶體與之前狀態閾值電壓有關的效應。在模擬電路器件中，浮體效應被稱作扭結效應（英語：Kink effect）。 ,我們知道元件在汲極端的高電場導致了許多不理想效應，如漏電流效應、扭結效應、熱載子效應。在本篇論文中，一個高效能的的下部閘極薄膜電晶體伴隨著汲極延伸場 ...
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 扭結效應 相關參考資料
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在本篇論文中，我們將探討在矽在絕緣層上(SOI) 中利用扭結效應(Kink effect) 改變臨界電壓(Threshold Voltage) 的特性來製作一個單電晶體動態隨機存取記憶體的 ... https://ndltd.ncl.edu.tw 國立中山大學電機工程學系碩士論文
通道中所衍生出來的〝自體加熱效應〞及有效消除因撞擊游離(impact ionization)在輸出特性曲所造成的扭結(kink)現象，提高元件崩潰電壓與可靠. 度。雖然趨動電流 ... http://etd.lib.nsysu.edu.tw 國立中山大學電機工程學系碩士論文 - eThesys 國立中山大學 ...
通道中所衍生出來的〝自體加熱效應〞及有效消除因撞擊游離(impact ionization)在輸出特性曲所造成的扭結(kink)現象，提高元件崩潰電壓與可靠. 度。雖然趨動電流 ... https://etd.lis.nsysu.edu.tw 國立交通大學機構典藏：探討矽在絕緣層上元件之扭結效應的 ...
在本篇論文中，我們將探討在矽在絕緣層上(SOI) 中利用扭結效應(Kink effect) 改變臨界電壓(Threshold Voltage) 的特性來製作一個單電晶體動態隨機存取記憶體的 ... https://ir.nctu.edu.tw 多閘極複晶矽薄膜電晶體閘極長度對電場之影響 - 逢甲大學
良出新穎式的結構，好因應高接面電場所帶來許多的不理想效應，而. 多閘極薄膜電 ..... current effect)、熱載子效應(hot carrier effect)以及扭結效應(kink effect). 都與汲 ... http://dspace.lib.fcu.edu.tw 浮体效应_百度百科
它也造成历史效应（英语：history effect），即晶体管与之前状态阈值电压有关的效应。在模拟电路器件中，浮体效应被称作扭结效应（英语：Kink effect）。 https://baike.baidu.com 浮體效應- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
它也造成歷史效應（英語：history effect），即電晶體與之前狀態閾值電壓有關的效應。在模擬電路器件中，浮體效應被稱作扭結效應（英語：Kink effect）。 https://zh.wikipedia.org 無扭結效應之金屬延伸場板複晶矽薄膜電晶體之研究__臺灣博 ...
我們知道元件在汲極端的高電場導致了許多不理想效應，如漏電流效應、扭結效應、熱載子效應。在本篇論文中，一個高效能的的下部閘極薄膜電晶體伴隨著汲極延伸場 ... http://ndltd.ncl.edu.tw |