微波電漿源
微波電漿是材料薄膜沉積、微細加工和材料表面改質的一種重要工具。由於這種電漿可得到高離子密度及解離度,其化學反應活性強、製程再現性良好,所需反應溫度較 ... ,Sariem Aura-wave、Hi-Wave 微波電漿源可提供高電漿密度,電漿源可排列為陣列,且陣列上的每個ECR電漿源可獨立控制其功率,讓大面積的基板表面電漿改質 ... ,俊尚科技提供您德國CCR Technology 的COPRA 電漿源,其特色如下:. 能產生極大之離子電流密度; 離子能量(Ion Energy) 可獨立控制,不因RF電源的輸出大小而 ... ,SEM下矽晶圓上以CYRANNUS系統沈積的鑽石薄膜(左圖) 德國iPLAS 的CYRANNUS 微波電漿系統採用新一代電子迴轉共振微波電漿源(ECR Plasma Source), ... ,一般微波電漿的產生多使用915MHz或2.45GHz兩種頻率的微波電源,透過磁控管(Magnetron)產生微波源,並以導波管(Wave Guide)傳送特定震盪模式的微波,最後 ... , 微波電漿是材料薄膜沉積、精密加工和材料表面改質的一種重要工具。由於微波電漿可得到較高的離子密度和解離度,其離子反應活性強,製程再現 ...,Wang. 等(8)使用電漿弧光源離子在不同處理溫. 度下氮化AISI-304不銹鋼。 與其他不同電漿源相比較下,使用微. 波電漿有以下幾項優點:(1)可產生 ... ,般用在鍍膜的PECVD電漿源,工作壓力約2~10 Torr,其解離率小於1%;. MPCVD工作壓力約10~100 Torr範圍,但微波電場可以提高其解離率至5. %;ECR-CVD ... ,到蝕刻、濺鍍及輔助化學氣相沉積鍍膜作說明,最後對目前盛行的高密度電漿源 ... Radio Frequency)電源及微波(MW, Microwave)電源,一般RF 的頻率13.56MHz,. ,摘要. 電漿科技已廣泛應用於科學研究及工業製程,成為現代科技的重要指標。本文將介紹國內在電漿源方面的研發,其中包. 括電感式電漿源,微波表面波電漿源,大氣 ...
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般用在鍍膜的PECVD電漿源,工作壓力約2~10 Torr,其解離率小於1%;. MPCVD工作壓力約10~100 Torr範圍,但微波電場可以提高其解離率至5. %;ECR-CVD ... https://ir.nctu.edu.tw 電漿反應器與原理
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