崩潰電壓
二極體加順向偏壓時(P接正電壓，N接負電壓)，此時靜電流，當外加順向電壓VD由0慢 ... 而崩潰電壓則因半導體加入雜質濃度的多寡而分為稽納崩潰與累增崩潰，兩者 ... ,一個順向偏壓的二極體兩端的電壓降變化只與電流有一點關係，並且是溫度的函數。因此這一 ..... 超過崩潰電壓以後逆向電流急遽增加的區域被稱為擊穿區（崩潰區）。 , 當二極體在逆向偏壓時，少數載子造成逆向流動；逆向偏壓若超過了崩潰電壓時，這少數載子將獲得足夠能量，去擊出正常軌道上的價電子，這些被擊 ..., 逆向崩潰的原因. 累增效應. 逆向電壓愈高時，電子受電場的加速愈快，高. 能的電子將價電子撞擊出共價鍵，而撞擊出的. 電子又受電場加速…,西，於是乎我們把二極體的電流-電壓特性方程式（I-V characteristics)寫出來讓同 ... 它的"崩潰"是可"控制"的，而且是可“恢復“的，它的崩潰電壓VBR可固定在某個. ,絕緣體的擊穿電壓（英语：breakdown voltage）是令一部分絕緣體變成電導體的最小電壓。二極體的 ... 另見[编辑]. 突崩潰 ... ,,當逆向偏壓增加到某一特定的電壓值時，電流會急速的增加，此時的電壓稱. 為崩潰電壓（breakdown voltage）。半導體二極體在進入崩潰時所能承受的最大. 逆向偏壓 ... ,齐纳二極體（英语：Zener diode），是利用二极管在反向电压作用下的稽納击穿（崩潰）效应，制造而成的一种具有稳定电压功能的电子技术元件，因此又称为“稳压管”。
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P-N接面理論
二極體加順向偏壓時(P接正電壓，N接負電壓)，此時靜電流，當外加順向電壓VD由0慢 ... 而崩潰電壓則因半導體加入雜質濃度的多寡而分為稽納崩潰與累增崩潰，兩者 ... http://vision.taivs.tp.edu.tw 二極體- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
一個順向偏壓的二極體兩端的電壓降變化只與電流有一點關係，並且是溫度的函數。因此這一 ..... 超過崩潰電壓以後逆向電流急遽增加的區域被稱為擊穿區（崩潰區）。 https://zh.wikipedia.org 二極體崩潰原因種類| Yahoo奇摩知識+
當二極體在逆向偏壓時，少數載子造成逆向流動；逆向偏壓若超過了崩潰電壓時，這少數載子將獲得足夠能量，去擊出正常軌道上的價電子，這些被擊 ... https://tw.answers.yahoo.com 二極體特性
逆向崩潰的原因. 累增效應. 逆向電壓愈高時，電子受電場的加速愈快，高. 能的電子將價電子撞擊出共價鍵，而撞擊出的. 電子又受電場加速… https://sywung.files.wordpress 二極體的特性
西，於是乎我們把二極體的電流-電壓特性方程式（I-V characteristics)寫出來讓同 ... 它的"崩潰"是可"控制"的，而且是可“恢復“的，它的崩潰電壓VBR可固定在某個. http://ezphysics.nchu.edu.tw 击穿电压- 维基百科，自由的百科全书
絕緣體的擊穿電壓（英语：breakdown voltage）是令一部分絕緣體變成電導體的最小電壓。二極體的 ... 另見[编辑]. 突崩潰 ... https://zh.wikipedia.org 崩潰電壓- Wikiwand
http://www.wikiwand.com 認識二極體及電晶體特性曲線
當逆向偏壓增加到某一特定的電壓值時，電流會急速的增加，此時的電壓稱. 為崩潰電壓（breakdown voltage）。半導體二極體在進入崩潰時所能承受的最大. 逆向偏壓 ... http://eedept.ncue.edu.tw 齊納二極體- 维基百科，自由的百科全书
齐纳二極體（英语：Zener diode），是利用二极管在反向电压作用下的稽納击穿（崩潰）效应，制造而成的一种具有稳定电压功能的电子技术元件，因此又称为“稳压管”。 https://zh.wikipedia.org |