崩潰電壓原因
當半導體二極體的P 端施加正電壓，N 端施加負電壓時，此種電壓狀態稱. 為順向偏壓（Forward ... 其原因有二，一種稱為累積崩潰（Avalanche breakdown），一種稱為 ... ,二極體加順向偏壓時(P接正電壓，N接負電壓)，此時靜電流，當外加順向電壓VD由0慢 ... 而崩潰電壓則因半導體加入雜質濃度的多寡而分為稽納崩潰與累增崩潰，兩者 ... ,半導體二極體的非線性電流-電壓特性，可以根據選擇不同的半導體材料和摻雜不同的雜質 ..... 超過崩潰電壓以後逆向電流急遽增加的區域被稱為擊穿區（崩潰區）。 ,, 逆向崩潰的原因. 累增效應. 逆向電壓愈高時，電子受電場的加速愈快，高. 能的電子將價電子撞擊出共價鍵，而撞擊出的. 電子又受電場加速…, 崩潰電壓要簡單一點來講，就是P和N 兩者的摻雜，是看要較低的那個(背景濃度)， ... 原因就是因為摻雜越高，那每單位長度所擁有的電荷量就越大.,絕緣體的崩潰電壓（英語：breakdown voltage）是令一部分絕緣體變成電導體的最小電壓。二極體的崩潰電壓是指二極體逆向導電的最小逆向電壓。 , 當二極體在逆向偏壓時，少數載子造成逆向流動；逆向偏壓若超過了崩潰電壓時，這少數載子將獲得足夠能量，去擊出正常軌道上的價電子，這些被擊 ..., 蕭特基二極體在低頻時，整流二極體很容易在順向或逆向電壓，形成開、關狀態。 ... 極體及其他裝置的通斷速度有多快來決定，而這也是開始製造蕭特基二極體的原因。 ... 嚴格的說，曾納二極體崩潰電壓超過6伏時，應稱為雪崩二極體。,當逆向偏壓增加到某一特定的電壓值時，電流會急速的增加，此時的電壓稱. 為崩潰電壓（breakdown voltage）。半導體二極體在進入崩潰時所能承受的最大. 逆向偏壓 ...
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P-N 接面二極體P-N Junction Diode
當半導體二極體的P 端施加正電壓，N 端施加負電壓時，此種電壓狀態稱. 為順向偏壓（Forward ... 其原因有二，一種稱為累積崩潰（Avalanche breakdown），一種稱為 ... http://www.taiwan921.lib.ntu.e P-N接面理論
二極體加順向偏壓時(P接正電壓，N接負電壓)，此時靜電流，當外加順向電壓VD由0慢 ... 而崩潰電壓則因半導體加入雜質濃度的多寡而分為稽納崩潰與累增崩潰，兩者 ... http://vision.taivs.tp.edu.tw 二極體- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
半導體二極體的非線性電流-電壓特性，可以根據選擇不同的半導體材料和摻雜不同的雜質 ..... 超過崩潰電壓以後逆向電流急遽增加的區域被稱為擊穿區（崩潰區）。 https://zh.wikipedia.org 二極體崩潰原因種類| Yahoo奇摩知識+
https://tw.answers.yahoo.com 二極體特性
逆向崩潰的原因. 累增效應. 逆向電壓愈高時，電子受電場的加速愈快，高. 能的電子將價電子撞擊出共價鍵，而撞擊出的. 電子又受電場加速… https://sywung.files.wordpress 半導體PN接面題目(簡答) | Yahoo奇摩知識+
崩潰電壓要簡單一點來講，就是P和N 兩者的摻雜，是看要較低的那個(背景濃度)， ... 原因就是因為摻雜越高，那每單位長度所擁有的電荷量就越大. https://tw.answers.yahoo.com 崩潰電壓- Wikiwand
絕緣體的崩潰電壓（英語：breakdown voltage）是令一部分絕緣體變成電導體的最小電壓。二極體的崩潰電壓是指二極體逆向導電的最小逆向電壓。 http://www.wikiwand.com 稽納二極體( Zener Diode ) 的特性| Yahoo奇摩知識+
當二極體在逆向偏壓時，少數載子造成逆向流動；逆向偏壓若超過了崩潰電壓時，這少數載子將獲得足夠能量，去擊出正常軌道上的價電子，這些被擊 ... https://tw.answers.yahoo.com 蕭特基二極體的知識| Yahoo奇摩知識+
蕭特基二極體在低頻時，整流二極體很容易在順向或逆向電壓，形成開、關狀態。 ... 極體及其他裝置的通斷速度有多快來決定，而這也是開始製造蕭特基二極體的原因。 ... 嚴格的說，曾納二極體崩潰電壓超過6伏時，應稱為雪崩二極體。 https://tw.answers.yahoo.com 認識二極體及電晶體特性曲線
當逆向偏壓增加到某一特定的電壓值時，電流會急速的增加，此時的電壓稱. 為崩潰電壓（breakdown voltage）。半導體二極體在進入崩潰時所能承受的最大. 逆向偏壓 ... http://eedept.ncue.edu.tw |