半導體電阻率
, 半導體材料的電阻率(resistivity) ρ= 1/ q*[n(μn)+p(μp)]} 其中, q = 電子電荷1.6*10^(-19) 庫侖 n, p 分別是材料的電子濃度與電洞濃度μn, μp 分別是 ...,電阻率與導體的長度、橫截面積等因素無關，是導體材料本身的電學性質，由導體的材料決定，且與溫度有關。 ... 介於導體和絕緣體之間的物質（如矽）則稱半導體。 ,在電磁學裏，電阻是一個物體對於電流通過的阻礙能力，以方程式定義為. R = d e f V I ... 假設這物體具有均勻截面面積，則其電阻與電阻率、長度成正比，與截面面積成反比 .... 在絕緣體和半導體中，原子之間會相互影響，使得導帶和價帶之間出現禁帶， ... ,半导体的电阻率介于金属和绝缘体之间： 室温时约在1mΩ·cm～1GΩ·cm之间（上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的）。... ,對重摻雜半導體而言，在低溫時雜質散射效應較顯著，所以溫度越高，遷移率越大。在高溫區，則為晶格散射效應 ... 半導體試片電阻率的量測. 此法不適合半導體晶圓及 ... ,半導體中的導電載子---電子與電洞. 帶溝與半導體的光電特性 ... 鋅ZnS等. 化合物半導體（compound semiconductors） ...... ρ :(=1/σ)電阻率resistivity 單位：(Ωcm) ... ,半導體的電阻率介於金屬和絕緣體之間: 室溫時約在1mΩ·cm~1GΩ·cm之間(上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的)。中文名稱. ,半導體的電阻率介於金屬和絕緣體之間： 室溫時約在1mΩ·cm～1GΩ·cm之間（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的）。晶向電阻率與晶向有關。對於各 ... ,導體的導電率為σ＝pμp q；N 型半導體的導電率σ＝nμn q。 (5) 電阻率與溫度的關係. 本質半導體中如果溫度越高，由於本身所含的載子濃度ni 會越高，所以電阻率下降 ...
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半導體(semi-conductor)
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電阻率與導體的長度、橫截面積等因素無關，是導體材料本身的電學性質，由導體的材料決定，且與溫度有關。 ... 介於導體和絕緣體之間的物質（如矽）則稱半導體。 https://zh.wikipedia.org 电阻- 维基百科，自由的百科全书
在電磁學裏，電阻是一個物體對於電流通過的阻礙能力，以方程式定義為. R = d e f V I ... 假設這物體具有均勻截面面積，則其電阻與電阻率、長度成正比，與截面面積成反比 .... 在絕緣體和半導體中，原子之間會相互影響，使得導帶和價帶之間出現禁帶， ... https://zh.wikipedia.org 半导体电阻率_百度百科
半导体的电阻率介于金属和绝缘体之间： 室温时约在1mΩ·cm～1GΩ·cm之间（上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的）。... https://baike.baidu.com 與摻雜濃度和遷移率有關
對重摻雜半導體而言，在低溫時雜質散射效應較顯著，所以溫度越高，遷移率越大。在高溫區，則為晶格散射效應 ... 半導體試片電阻率的量測. 此法不適合半導體晶圓及 ... http://een.ctu.edu.tw 半導體物理簡介
半導體中的導電載子---電子與電洞. 帶溝與半導體的光電特性 ... 鋅ZnS等. 化合物半導體（compound semiconductors） ...... ρ :(=1/σ)電阻率resistivity 單位：(Ωcm) ... http://ezphysics.nchu.edu.tw 半導體電阻率 - 華人百科
半導體的電阻率介於金屬和絕緣體之間: 室溫時約在1mΩ·cm~1GΩ·cm之間(上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的)。中文名稱. https://www.itsfun.com.tw 半導體電阻率 - 百科知識中文網
半導體的電阻率介於金屬和絕緣體之間： 室溫時約在1mΩ·cm～1GΩ·cm之間（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的）。晶向電阻率與晶向有關。對於各 ... https://www.easyatm.com.tw 投稿類別：物理類篇名： 半導體與光敏電阻之探討作者： 林子翔 ...
導體的導電率為σ＝pμp q；N 型半導體的導電率σ＝nμn q。 (5) 電阻率與溫度的關係. 本質半導體中如果溫度越高，由於本身所含的載子濃度ni 會越高，所以電阻率下降 ... https://www.shs.edu.tw |