半導體能隙
可見，金屬沒有能隙，而半導體和絕緣體均有能隙，且後者的能隙大於前者。 ... 價帶電子被束縛在原子周圍，而不像導體、半導體里導帶的電子一樣能夠脫離原子晶格 ... ,跳到 半導體的能帶結構 - 半導體中的電子所具有的能量被限制在基態與自由電子之間的幾個能帶裡，在能帶內部電子能量處於準連續狀態，而能帶之間則有帶隙 ... ,半導體物理-固態量子理論導論. 1. 半導體物理 .... 半導體是能隙(energy gap)大於零但小於4 eV*的. 固體。如此的能隙可使半導體在室溫時具有適度的. 傳導性與載子* ... ,圖1(b) 則是半導體能帶示意圖，半導. 體傳導帶與價帶間的能隙大小介於導體與. 絕緣體之間，一般而言，半導體是不導電，. 除非價帶的電子獲得足夠的能量跑到傳導. ,掺杂（英语：doping）是半导体制造工艺中，为纯的本征半导体引入杂质，使之电气属性被改变的过程 ... 依照摻雜物的不同，本征半導體的能隙之間會出現不同的能階。 ,Si和Ge是間接帶隙半導體，GaAs和InAs是直接帶隙半導體. ... 值在k空間中同一位置，電子要躍遷到導帶上產生導電的電子和空穴（形成半滿能帶）只需要吸收能量。 ,能帶結構可以解釋固體中導體（沒有能隙）、半導體（能隙< 3 eV)、絕緣體 (能隙> 3 eV) 三大類區別的由來。材料的導電性是由「傳導帶」中含有的電子數量決定。當電子 ... ,能隙（band gap或energy gap）也譯作能帶隙（energy band gap）、禁帶寬度（width of forbidden band），在固態物理學中泛指半導體或絕緣體的價帶頂端至傳導帶底 ... , 原子的排列方式會影響半導體能隙(bandgap)，能隙可以說是半導體最重要的性質，其大小決定材料吸收光子與發光的行為。例如，當光子能量大於能 ...
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 半導體能隙 相關參考資料
價帶- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
可見，金屬沒有能隙，而半導體和絕緣體均有能隙，且後者的能隙大於前者。 ... 價帶電子被束縛在原子周圍，而不像導體、半導體里導帶的電子一樣能夠脫離原子晶格 ... https://zh.wikipedia.org 半导体- 维基百科，自由的百科全书
跳到 半導體的能帶結構 - 半導體中的電子所具有的能量被限制在基態與自由電子之間的幾個能帶裡，在能帶內部電子能量處於準連續狀態，而能帶之間則有帶隙 ... https://zh.wikipedia.org 半導體物理
半導體物理-固態量子理論導論. 1. 半導體物理 .... 半導體是能隙(energy gap)大於零但小於4 eV*的. 固體。如此的能隙可使半導體在室溫時具有適度的. 傳導性與載子* ... http://120.101.8.4 半導體發光原理 - 國立臺灣科學教育館
圖1(b) 則是半導體能帶示意圖，半導. 體傳導帶與價帶間的能隙大小介於導體與. 絕緣體之間，一般而言，半導體是不導電，. 除非價帶的電子獲得足夠的能量跑到傳導. https://www.ntsec.gov.tw 掺杂(半导体) - 维基百科，自由的百科全书
掺杂（英语：doping）是半导体制造工艺中，为纯的本征半导体引入杂质，使之电气属性被改变的过程 ... 依照摻雜物的不同，本征半導體的能隙之間會出現不同的能階。 https://zh.wikipedia.org 直接帶隙半導體- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
Si和Ge是間接帶隙半導體，GaAs和InAs是直接帶隙半導體. ... 值在k空間中同一位置，電子要躍遷到導帶上產生導電的電子和空穴（形成半滿能帶）只需要吸收能量。 https://zh.wikipedia.org 能帶理論- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
能帶結構可以解釋固體中導體（沒有能隙）、半導體（能隙< 3 eV)、絕緣體 (能隙> 3 eV) 三大類區別的由來。材料的導電性是由「傳導帶」中含有的電子數量決定。當電子 ... https://zh.wikipedia.org 能隙- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
能隙（band gap或energy gap）也譯作能帶隙（energy band gap）、禁帶寬度（width of forbidden band），在固態物理學中泛指半導體或絕緣體的價帶頂端至傳導帶底 ... https://zh.wikipedia.org 能隙只有30 meV的矽，是半導體還是金屬？ – CASE報科學
原子的排列方式會影響半導體能隙(bandgap)，能隙可以說是半導體最重要的性質，其大小決定材料吸收光子與發光的行為。例如，當光子能量大於能 ... https://case.ntu.edu.tw |