半導體能隙大小
三五族化合物半導體的能隙−晶格常數圖. 13 ... GaAs以及大部分三五族化合物，是屬於直接能隙半導體， .... 當電場大小固定時，遷移率越大，載子.,跳到 半導體的能帶結構 - 半導體中的電子所具有的能量被限制在基態與自由電子之間的幾個能帶 ... 通常對半導體而言，能帶間隙的大小約為1電子伏特上下。 ,半導體中的導電載子---電子與電洞 ... 化合物半導體（compound semiconductors） .... 帶溝的大小，一般以電子伏特(eV)為單位，和共價鍵的強度有關，共價鍵強. ,圖1(b) 則是半導體能帶示意圖，半導. 體傳導帶與價帶間的能隙大小介於導體與. 絕緣體之間，一般而言，半導體是不導電，. 除非價帶的電子獲得足夠的能量跑到傳導. ,導帶和價帶間的空隙稱為禁帶（電子無法填充），大小為能隙（即右邊第二副圖中所 ... 能帶結構可以解釋固體中導體（沒有能隙）、半導體（能隙< 3 eV)、絕緣體 (能隙> 3 ... ,導帶和價帶間的空隙稱為禁帶（電子無法填充），大小為能隙（即右邊第二副圖中所 ... 能帶結構可以解釋固體中導體（沒有能隙）、半導體（能隙< 3 eV)、絕緣體 (能隙> 3 ... ,對一個本質半導體而言，其導電性與能隙的大小有關，只有獲得足夠能量的電子才能從價帶被激發，跨過能隙並躍遷至傳導帶。利用費米-狄拉克統計可以得到電子佔據 ... ,对一个本征半导体（intrinsic semiconductor）而言，其导电性与能隙的大小有关，只有获得足够能量的电子才能从价带被激发，跨过能隙并跃迁至导带。利用费米-狄 ... ,, 原子的排列方式會影響半導體能隙(bandgap)，能隙可以說是半導體最重要的性質，其大小決定材料吸收光子與發光的行為。例如，當光子能量大於能 ...
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 半導體能隙大小 相關參考資料
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三五族化合物半導體的能隙−晶格常數圖. 13 ... GaAs以及大部分三五族化合物，是屬於直接能隙半導體， .... 當電場大小固定時，遷移率越大，載子. http://scistore.colife.org.tw 半导体- 维基百科，自由的百科全书
跳到 半導體的能帶結構 - 半導體中的電子所具有的能量被限制在基態與自由電子之間的幾個能帶 ... 通常對半導體而言，能帶間隙的大小約為1電子伏特上下。 https://zh.wikipedia.org 半導體物理簡介
半導體中的導電載子---電子與電洞 ... 化合物半導體（compound semiconductors） .... 帶溝的大小，一般以電子伏特(eV)為單位，和共價鍵的強度有關，共價鍵強. http://ezphysics.nchu.edu.tw 半導體發光原理 - 國立臺灣科學教育館
圖1(b) 則是半導體能帶示意圖，半導. 體傳導帶與價帶間的能隙大小介於導體與. 絕緣體之間，一般而言，半導體是不導電，. 除非價帶的電子獲得足夠的能量跑到傳導. https://www.ntsec.gov.tw 能帶理論- Wikiwand
導帶和價帶間的空隙稱為禁帶（電子無法填充），大小為能隙（即右邊第二副圖中所 ... 能帶結構可以解釋固體中導體（沒有能隙）、半導體（能隙< 3 eV)、絕緣體 (能隙> 3 ... http://www.wikiwand.com 能帶理論- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
導帶和價帶間的空隙稱為禁帶（電子無法填充），大小為能隙（即右邊第二副圖中所 ... 能帶結構可以解釋固體中導體（沒有能隙）、半導體（能隙< 3 eV)、絕緣體 (能隙> 3 ... https://zh.wikipedia.org 能隙- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
對一個本質半導體而言，其導電性與能隙的大小有關，只有獲得足夠能量的電子才能從價帶被激發，跨過能隙並躍遷至傳導帶。利用費米-狄拉克統計可以得到電子佔據 ... https://zh.wikipedia.org 能隙_百度百科
对一个本征半导体（intrinsic semiconductor）而言，其导电性与能隙的大小有关，只有获得足够能量的电子才能从价带被激发，跨过能隙并跃迁至导带。利用费米-狄 ... https://baike.baidu.com 能隙| 科學Online
http://highscope.ch.ntu.edu.tw 能隙只有30 meV的矽，是半導體還是金屬？ – CASE報科學
原子的排列方式會影響半導體能隙(bandgap)，能隙可以說是半導體最重要的性質，其大小決定材料吸收光子與發光的行為。例如，當光子能量大於能 ... https://case.ntu.edu.tw |