光阻 灰化 Ash
本发明涉及等离子体灰化方法，该方法包括：以一实质上无氧无氮之气体混合物形成一等离子体；将该等离子体导引入一处理室，其中该处理室包含一和等离子体流体 ... ,例如，蝕刻後(post-etch)或灰化後(post-ash)聚合物和殘留物需要透過化學溶解方式來 ... 微粒、聚合物和殘留物去除; 晶背/晶邊清洗; 光阻去除; 矽基板薄化/應力消除 ... ,金属不纯物(Metal Impurity), 主要来自于离子植入(Ion Implantation)、干式蚀刻(Dry Etch)及光阻灰化(Ash)时，因离子撞击机台内壁所造成。另外制程环境及化学品与 ... ,主要來自於離子植入(Ion Implantation)、乾式蝕刻(Dry Etch)及光阻灰化(Ash)時，因離子撞擊機台內壁所造成。另外製程環境及化學品與化學品容器本身，也是可能的 ... ,沒有這個頁面的資訊。瞭解原因 ,選擇性蝕刻是將光阻上的IC設計圖案轉移到晶圓表面. ▫ 其他的應用: 光罩製作, ... 氧電漿灰化製程(Oxygen plasma ashing): 去除有機殘餘物. ▫ 濕式化學清潔步驟： ... ,2.2，通道蝕刻開後利用氧氣將光阻“灰化(Ash)”去除如圖2.3。光阻去. 除後會有殘留光阻在表面，利用濕式清洗以去光阻劑將殘留光阻清除乾. 淨如圖2.4，然後以IPA 異 ... , 採用傳統電漿灰化方式的光阻去除製程會導致低介電常數（low-k）材料特性的嚴重 ... [2] P.G. Clark, et.al, "Post Ash Residue Removal and Surface ...,蝕刻、植離子、灰化。 – 影響：降低崩潰電壓；接 ... 來源：無塵室蒸氣、光阻殘餘、. – 來源：無塵室蒸氣、光阻 ... 用途於微影成像後去除光. 阻，清洗晶圓，達到酸鹼中和，.
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