vgs是什麼
在MOS製作完成之後通道是不存在的，而它的存在與否視閘電壓(VGS)的大小而定。基體(SS)通常是電路與電路的最低電壓相接。在VDS＞0時，若VGS＞0，使得閘極 ... ,mos管中G代表栅极，S代表源极。电压是相对的，所以Vgs是栅极相对于源极的电压. 已赞过 已踩过<. 你对这个回答的评价是？ 评论 收起 ... , 中文名稱及名詞解釋 (1) Sub-threshold current of a MOSFET Ans : 金氧半場效電晶體的次臨界電流當閘極和源極間的電壓VGS（G代表閘極，S代表 ...,電晶體(transistor)是近代電子電路的核心元件，他的主要功能是做電流的開 .... VGS=0. 半導體物理與元件5-10. 中興物理孫允武. 在閘極與基板本體（和源極相接）間慢 ... ,常遇到MOS管Vgs電壓過大會損壞管子，但是從原理上看，似乎不然呀? ,FET是一種三端點的裝置，它包含了一個基本的P-N接面，如圖8-1(a)為N ... 我們先探討在VGS=0伏特時JFET的工作情形，然後再討論逆向偏壓VGS增加的情形。 , MOSFET的VGS(th)：閘極閾值電壓是為使MOSFET導通，閘極與源極間必需的電壓。也就是說，VGS如果是閾值以上的電壓，則MOSFET可導通。,金屬：鋁或其他金屬，很多是用高導的多晶矽 ... 3. VDS 增加至飽和電壓vDS(sat)= vGS-VTN. ▫ iD 對vDS 之斜率為零. ▫ vGS-vDS(sat)= VTN：可想成VTN= vGD(sat) ... ,金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，縮寫：MOSFET），是一種可以廣泛使用在模拟電路 ... ,前往詳細產品頁面. ID-VGS特性與溫度特性. 圖1和2所示為ID-VGS特性與閥值溫度特性之實測範例。 如圖1所示，如果要讓更大的電流通過，就必須提高閥值電壓。
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mos管中G代表栅极，S代表源极。电压是相对的，所以Vgs是栅极相对于源极的电压. 已赞过 已踩过<. 你对这个回答的评价是？ 评论 收起 ... https://zhidao.baidu.com [物理]電子學-專有名詞解釋| Yahoo奇摩知識+
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