si mosfet
目前SiC-MOSFET有用的範圍是耐壓600V以上、特別是1kV以上。關於優勢，現將1kV以上的產品與當前主流的Si-IGBT來比較一下看看。, ROHM針對SiC上形成的閘極氧化膜，通過製程研發和元件結構最佳化，實現了與Si-MOSFET同等的可靠性。 CCS TDDB（Constant Current Stress ..., 本章將對SiC-MOSFET的本體二極體的順向特性與反向恢復特性進行說明。 ... 如“何謂碳化矽”中提到的，SiC的帶隙更寬，Vf比Si-MOSFET大得多。, 溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為採用，在SiC-MOSFET中由於溝槽結構有利於降低導通電阻也備受關注。 然而，普通的單溝槽結構由於閘極溝槽 ..., Si功率元件. Si電晶體 ... 本文介紹ROHM命名為“Hybrid MOS”的、同時具備MOSFET和IGBT兩者優勢的MOSFET。產品位於下圖最下方紅色框內。, 本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。, 功率電晶體的特長與定位首先來看近年來的主要功率電晶體Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率範圍。因為接下來的幾篇將談超接合 ..., 上一篇介紹了近年來的主要功率電晶體Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超接合面MOSFET（ ...
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