si介電常數
所謂low-k（低介電值）就是尋找介電常數較小的材料，以降低導線間電流的互相干擾作用，進而提升IC內導線的傳輸功能。 由於電路信號傳遞的快慢是決定在電阻(R)與 ... ,所謂low-k（低介電值）就是尋找介電常數較小的材料，以降低導線間電流的互相 ... 而電容值則與IC上金屬線間絕緣介電材料的介電係數K相關，K越小，電容值越小。 , Si的相对介电常数为11.9, 真空的为8.854e-14F/cm.相乘即为Si的介电常数. SiF4常温为气体,不太清楚气体的介电常数如何衡量.应该与摩尔浓度有关 ...,在電磁學裏，介電質響應外電場的施加而電極化的衡量，稱為電容率。在非真空中由於介電質被電極化，在物質內部的總電場會減小；電容率關係到介電質傳輸（或容許） ... ,低介電常數物質（low-k）顧名思義，即相對電容率（k）比較低（低於二氧化矽，k=3.9）的電介質，主要應用在微電子領域。具體可參見低介電常數材料 ... ,... 採用介電常數低於二氧化矽的材料，其中多孔性介電材料成為未來世代超低介電 ... 將四氧烷基矽TEOS (tetraethyl orthosilicate，Si(OC2H5)4)、H2O、HCl及乙醇所 ... ,以絕對溫度300K為例，熱動能0.03eV，而束縛能大小模擬氫原子大約13.6eV除以12平方（12為矽原子介電常數）概算是0.1eV，精算是0.03 eV。 ,介電質大多數是絕緣體。其例子包括瓷器(陶器)，雲母，玻璃，塑料，和各種金屬氧化物。有些液體和氣體可以作為好的介電質材料。乾空氣是良好的介電質，並被用在可 ... ,摘要: 為了尋找比SiO2具有更高介電係數材料且適合在場效電晶體使用之閘極材料，具有較SiO2更高介電係數 ... Si基板直接接觸時具有熱力的穩定性；(2)較高的能隙. ,原因是薄膜擁有較高介電常數，容易被外在電場影響. 而極化，在高溫環境下易分解或與Si 產生反應，造成晶體特性劣化，所以從. 這幾項關系選擇穩定都高以及介電 ...
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 si介電常數 相關參考資料
low-k - 解釋頁
所謂low-k（低介電值）就是尋找介電常數較小的材料，以降低導線間電流的互相干擾作用，進而提升IC內導線的傳輸功能。 由於電路信號傳遞的快慢是決定在電阻(R)與 ... http://www.yesfund.com.tw low-k - 財經百科- 財經知識庫- MoneyDJ理財網
所謂low-k（低介電值）就是尋找介電常數較小的材料，以降低導線間電流的互相 ... 而電容值則與IC上金屬線間絕緣介電材料的介電係數K相關，K越小，電容值越小。 https://www.moneydj.com Si的介电常数、SiF4的介电常数为多少？_百度知道
Si的相对介电常数为11.9, 真空的为8.854e-14F/cm.相乘即为Si的介电常数. SiF4常温为气体,不太清楚气体的介电常数如何衡量.应该与摩尔浓度有关 ... https://zhidao.baidu.com 介電常數 - 维基百科
在電磁學裏，介電質響應外電場的施加而電極化的衡量，稱為電容率。在非真空中由於介電質被電極化，在物質內部的總電場會減小；電容率關係到介電質傳輸（或容許） ... https://zh.wikipedia.org 低介電常數物質- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
低介電常數物質（low-k）顧名思義，即相對電容率（k）比較低（低於二氧化矽，k=3.9）的電介質，主要應用在微電子領域。具體可參見低介電常數材料 ... https://zh.wikipedia.org 低介電材料(Low-k) - 介孔洞二氧化矽
... 採用介電常數低於二氧化矽的材料，其中多孔性介電材料成為未來世代超低介電 ... 將四氧烷基矽TEOS (tetraethyl orthosilicate，Si(OC2H5)4)、H2O、HCl及乙醇所 ... http://web.it.nctu.edu.tw 大學物理相關內容討論:矽結晶的介電常數為何是12 ? - 國立臺灣師範大學 ...
以絕對溫度300K為例，熱動能0.03eV，而束縛能大小模擬氫原子大約13.6eV除以12平方（12為矽原子介電常數）概算是0.1eV，精算是0.03 eV。 http://www.phy.ntnu.edu.tw 相對電容率- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
介電質大多數是絕緣體。其例子包括瓷器(陶器)，雲母，玻璃，塑料，和各種金屬氧化物。有些液體和氣體可以作為好的介電質材料。乾空氣是良好的介電質，並被用在可 ... https://zh.wikipedia.org 高介電係數閘極用(1-x) La2O3-x SiO2陶瓷之特性研究 - 高苑科技大學
摘要: 為了尋找比SiO2具有更高介電係數材料且適合在場效電晶體使用之閘極材料，具有較SiO2更高介電係數 ... Si基板直接接觸時具有熱力的穩定性；(2)較高的能隙. http://www.kyu.edu.tw 高介電常數薄膜 - 義守大學
原因是薄膜擁有較高介電常數，容易被外在電場影響. 而極化，在高溫環境下易分解或與Si 產生反應，造成晶體特性劣化，所以從. 這幾項關系選擇穩定都高以及介電 ... http://www2.isu.edu.tw |