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p well步驟

一個p-well建立在n型態的結構上或是n-well建立在p型態的結構上,兩者只能取其一。 ... 這些步驟跟隨n+ 和p+ 價帶的產生(出口和通道停止滲電晶體) 並且最終採金屬 ... , P-epi 指的是P-type epitaxial layer (p型磊晶層)，主要是在P-type substrate上以磊晶方式製作一層品質較好(defect較少)的單晶層，後續的well便 ...,了解每一CMOS製程步驟中關鍵性過程及設備。 3. MOS製程流程之主要製造步驟 .... Bonding pad metal. p+ Silicon substrate. LI oxide. STI. n-well. p-well. ILD-1. ,Doping (摻雜) : 將不純物(dopant), 如B, P 加入Si中, 藉此改變Si type及電性. [1] 方式– 離子 ... retrograde well, buried layer. → MOS電性調整 well. Field oxide substrate gate ..... 將必需且適當的製程步驟(process steps)依正確的順序(sequence)組合. ,具各種摻雜區之CMOS結構圖 n通道電晶體 p通道電晶體. LI氧化層 p– 磊晶層 p+ 矽基板. STI. STI. STI ... 晶圓製作中慣用之摻質製程. 製程步驟. 慣用之摻質物種. 離子植入或擴散. A. p. +矽基板. 硼. 擴散 ..... For p-well implantation,. 11B+ is preferred. ,沒有這個頁面的資訊。瞭解原因 ,絕緣摻雜. P型基片 p+ p+ p+. 絕緣摻雜. SiO. 2. 襯墊氧化層. 襯墊氧化, 氮化矽沉積及圖案化 .... 閘極氧化層的步驟(續). ▫ 關閉氧氣 .... 仍被使用在形成井(well)的製程 ... ,As or P 的S/D摻雜 STI P-WELL N-WELL P-substrate STI P-WELL N-WELL P-substrate ... 最後再進行一次快速熱回火(Rapid Thermal Anneal, RTA)的步驟,防止硼 ... ,P-well. N-well. Polycide gate and local interconnection. Shallow trench isolation (STI). Vss. Vdd ... 介電質(dielectric)，及容易在熱氧化步驟中. 成長. ▫ 有較大能隙， ... ,P 井區(Well)植入﹙B 硼離子); 步驟11.井區驅入﹙Drive in 高溫擴散﹙1150C, 200min﹚﹚; 步驟13.第三層光罩對準：Source 源極區對準. 四、功率電晶體的晶圓製程.

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2.3 The CMOS n-Well Process (CMOS n-阱製程)

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CMOS製造流程

了解每一CMOS製程步驟中關鍵性過程及設備。 3. MOS製程流程之主要製造步驟 .... Bonding pad metal. p+ Silicon substrate. LI oxide. STI. n-well. p-well. ILD-1.

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IC 製程簡介

Doping (摻雜) : 將不純物(dopant), 如B, P 加入Si中, 藉此改變Si type及電性. [1] 方式– 離子 ... retrograde well, buried layer. → MOS電性調整 well. Field oxide substrate gate ..... 將必需且適當的製程步驟(process steps)依正確的順序(sequence)組合.

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Ion implantation

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半導體製程技術 - 聯合大學

絕緣摻雜. P型基片 p+ p+ p+. 絕緣摻雜. SiO. 2. 襯墊氧化層. 襯墊氧化, 氮化矽沉積及圖案化 .... 閘極氧化層的步驟(續). ▫ 關閉氧氣 .... 仍被使用在形成井(well)的製程 ...

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半導體製程設備技術

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投影片1

P-well. N-well. Polycide gate and local interconnection. Shallow trench isolation (STI). Vss. Vdd ... 介電質(dielectric)，及容易在熱氧化步驟中. 成長. ▫ 有較大能隙， ...

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高壓功率晶體設計(Design of High Voltage Power MOSFETs)

P 井區(Well)植入﹙B 硼離子); 步驟11.井區驅入﹙Drive in 高溫擴散﹙1150C, 200min﹚﹚; 步驟13.第三層光罩對準：Source 源極區對準. 四、功率電晶體的晶圓製程.

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