mosfet寄生二極體
MOS的DS為一般二極體，這是元件製作時自己寄生上去的，Vds<0會經由寄生二極體，電路特性是二極體特性，但此時VGS小於Vth時MOS還是關閉 ..., 在圖1我們看到D極和S極之間存在著一個二極體，這個二極體叫寄生二極體。在網上查了一番資料才知道，它是由生產工藝造成的，大功率MOS管漏 ..., 從MOSFET的結構上講，本體二極體是由源極-汲極間的PN接面形成的，也被稱為“寄生二極體”或“內部二極體”。對於MOSFET來說，本體二極體的 ..., 當一個功率MOSFET被用在電橋拓撲或用作電源二次側同步整流時，體汲二極體(body-drain diode)的特性及品質因數將變得非常重要。當需要Qrr ..., MOSFET的閘極﹙gate﹚、汲極﹙drain﹚、源極﹙souce﹚以閘極氧化膜 ... 氧化膜的靜電容量，而汲極-源極間電容Cds則為寄生二極體的接面電容。, 前一節從機上設計絕緣型返馳式轉換器開始，接著試作並評估是否符合設計目標，也就是輸出電壓和效率等電源規格。而本節將說明規格以外的其他 ..., 電源聯盟---高可靠電源行業第一自媒體 。 MOSFET體二極體特性. 寄生二極體由來. 是由生產工藝造成的，大功率MOS管漏極從矽片底部引出，就會 ..., MOSFET體二極體特性寄生二極體由來是由生產工藝造成的，大功率MOS管漏極從矽片底部引出，就會有這個寄生二極體。,關於MOSFET的寄生容量及溫度特性; 關於MOSFET的切換作用及溫度特性 ... Cgs,Cgd取決於氧化層的靜電容量，而Cds的容量則依內部等效二極體的接合容量不同 ... ,突波電流的峰值幾乎以輸入電壓Vi和MOSFET Q1的Rds（on）和負載容量CL ... 還差，由於MOSFET Q1的汲極、源極之間存在寄生二極體，透過寄生二極體，電流可能 ...
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