metal半導體
Metal-1. Metal-2. Poly. P Substrate. Pwell. NAPT. Nwell. PAPT. VTP. Poly. PSD. NSD. NSD. NSD. PSD. PSD. W. W. W. W. ILD. Trench oxide. IMD-1. W. W. W. W. , 黃光工程師的工作是以光阻曝光產生固定的pattern後,接著利用蝕刻將其轉印在晶圓上(如oxide, poly, metal, via layer, layer前的名字代表將產生 ...,互補式金屬氧化物半導體（英語：Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，縮寫作CMOS；簡稱互補式金氧半導體），是一種積體電路的設計製程，可以在矽質晶圓 ... , 基本的半導體製程為添加、移除、加熱處理和圖案化電漿的基礎原理○電 ...... 沉積層中含有兩層多晶矽(polysilicon)與兩層金屬層(metal，Al)，而製程 ...,1 個答案 - 半導體製程分為poly及metal,metal製程當然是有關金屬層,請問poly包括哪些步驟 ,半導體產業結構可區分為材料加工製造、晶圓之積體電路製造(wafer .... 矽晶聚合物，或稱聚合矽，在Metal Oxide Semiconductor(MOS)元件中用作閘極接線材料;多層 ... ,Metal 2, Al•Cu. P型磊晶層. 金屬1, Al•Cu. Al•Cu. STI. STI. PMD 或. ILD1. IMD 或. ILD2. ARC. PD1. PD2. 側壁空間層. WCVD. TiN. CVD. 介電質薄膜在CMOS電路的 ... ,Metal-Insulator-Semiconductor (MIS). The heart of a MOSFET. SiO2. Si. Vg. M SO. Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor. MOSFET. 金屬氧化半導體場效電 ... , 答：poly,oxide, metal. 何謂dielectric 蝕刻(介電質蝕刻)?. 答：Oxide etch and nitride etch. 半導體中一般介電質材質為何? 答：氧化矽/氮化矽., 答： ILD ：Inter Layer Dielectric, 是用來做device 與第一層metal 的 ... 答：接觸窗電阻，具體指金屬和半導體（contact）或金屬和金屬(via)，在相接觸時 ...
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