kirk效應
正是由於DDDMOS有kirk-effect的致命問題，所以它的應用非常窄，理論上限制 ... 但是它是在normal switch下並且考慮了self-heat效應的。,BJT在大注入工作时，另外还容易出现的效应是发射极电流集边效应和Kirk效应（基区展宽效应）。 产生机理例如，对n-p-n晶体管，当发射结电压较大、往基区大量地 ... ,BJT在大注入工作時，另外還容易出現的效應是發射極電流集邊效應和Kirk效應（基 ... Webster effect 效應對大電流狀態下工作的均勻基區電晶體（例如合金電晶體）而 ... ,,時滿足耐高壓及大電流的能力，又要防止閂鎖效應(latch up)的發生。橫向擴散 ... 防護能力的下降，例如克爾克效應(Kirk-effect)導致保持電壓(holding voltage)太. ,BJT的基区宽度在大电流时发生展宽的现象，即称为基区展宽（扩展）效应，也称为Kirk效应。... ,爾利效應（英語：Early effect），又譯厄爾利效應或譯歐萊效應，也稱基區寬度調變效應，是指當雙極性電晶體（BJT）的集極－射極電壓VCE改變，基極－集極空乏 ... ,,就是指基區的有效寬度隨集電結的反偏電壓的變化而變化的效應。 ... 輸出電阻減小的現象；另外，基區寬度展寬效應就是Kirk效應，是在大電流下基區寬度增大的現象。 ,效應(Latch-up)可靠性問題進行改善研究，也就是利用源 ... 關鍵字：靜電放電、閂鎖效應、觸發電壓、保持電壓、 ... [1][3]，其結構可用以預防Kirk effect 的產生並且.
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 kirk效應 相關參考資料
HV的結構與原理–DDDMOS or LDMOS? - 每日頭條
正是由於DDDMOS有kirk-effect的致命問題，所以它的應用非常窄，理論上限制 ... 但是它是在normal switch下並且考慮了self-heat效應的。 https://kknews.cc Webster效应_百度百科
BJT在大注入工作时，另外还容易出现的效应是发射极电流集边效应和Kirk效应（基区展宽效应）。 产生机理例如，对n-p-n晶体管，当发射结电压较大、往基区大量地 ... https://baike.baidu.com Webster效應： -華人百科
BJT在大注入工作時，另外還容易出現的效應是發射極電流集邊效應和Kirk效應（基 ... Webster effect 效應對大電流狀態下工作的均勻基區電晶體（例如合金電晶體）而 ... https://www.itsfun.com.tw www.baike.comwikiKirk效应
http://www.baike.com 國立交通大學
時滿足耐高壓及大電流的能力，又要防止閂鎖效應(latch up)的發生。橫向擴散 ... 防護能力的下降，例如克爾克效應(Kirk-effect)導致保持電壓(holding voltage)太. http://www.ics.ee.nctu.edu.tw 基区展宽效应_百度百科
BJT的基区宽度在大电流时发生展宽的现象，即称为基区展宽（扩展）效应，也称为Kirk效应。... https://baike.baidu.com 爾利效應- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
爾利效應（英語：Early effect），又譯厄爾利效應或譯歐萊效應，也稱基區寬度調變效應，是指當雙極性電晶體（BJT）的集極－射極電壓VCE改變，基極－集極空乏 ... https://zh.wikipedia.org 第一章簡介 - 電子工程系
http://140.128.87.3 電導調製：又稱基區寬度調製效應，屬於半導體物理的範疇了。就是指基區 ...
就是指基區的有效寬度隨集電結的反偏電壓的變化而變化的效應。 ... 輸出電阻減小的現象；另外，基區寬度展寬效應就是Kirk效應，是在大電流下基區寬度增大的現象。 https://www.itsfun.com.tw 電源nLDMOS 元件源汲極工程探討研究A Study of SourceDrain ...
效應(Latch-up)可靠性問題進行改善研究，也就是利用源 ... 關鍵字：靜電放電、閂鎖效應、觸發電壓、保持電壓、 ... [1][3]，其結構可用以預防Kirk effect 的產生並且. http://ir.lib.ksu.edu.tw |