gap蝕刻液
而在不同蝕刻液濃度的比較下，結果發現最大的蝕刻速率出現在He-Cd雷射能量為1.04 W ... The wide band gap semiconductor GaN with a direct band gap at 3.5eV ... ,物品編號：.Various多種成分比例.建議用途及限制使用：酸性剝離劑。半導體製程之 ...,物品名稱：Aletchant，鋁蝕刻液...中英文名稱：鋁蝕刻液(AlEtchant). ... gap蝕刻液 ... ,[0005] 中国专利申请号:201010181217.9，公开了一份名称为具有表面双层粗化的四元系垂直发光二极管及其制备方法的专利文件，其中指出湿法蚀刻采用的蚀刻液 ... ,01/30:14:28. [ 連絡_詢價]. 關於貴公司的金蝕刻液. 孫**. 06/25:19:24. [ 連絡_詢價]. 想詢問現是否還有賣葡萄酸鈣? 劉**. 05/16:15:29. [ 連絡_詢價]. GaP蚀刻液. 白**. ,4.2.2 使用鹽酸醋酸混合液蝕刻P-side AlGaInP LED ..... 69 .... 圖4-28 溼式蝕刻GaP 層1 至3.5min . .... 的頂端常有一GaP 或AlGaAs 磊晶透光窗口層(Window layer)。 ,简称, 英文名称, 中文名称, 应用说明, 询问产品资料. ACE, Acetone · 丙酮 · (产品介绍). AL Etch, Aluminum Etch · 铝蚀刻液 · (产品介绍). BOE, Buffered Oxide Etch ... ,Au Etch, Eiau-1 Gold Etch,Powder · 金蝕刻劑 · (產品介紹). GaP Etch, Gallium Phosphoide etch · 磷化鎵蝕刻液 · (產品介紹). EL, Ethyl Lactate · 乳酸乙酯 · (產品介紹). ,Au Etch, Eiau-1Gold Etch,Liquid · 金蝕刻液 · (product). Au Etch, Eiau-1 Gold Etch,Powder · 金蝕刻劑 · (product). GaP Etch, Gallium Phosphoide etch · 磷化鎵蝕刻 ...
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物品編號：.Various多種成分比例.建議用途及限制使用：酸性剝離劑。半導體製程之 ...,物品名稱：Aletchant，鋁蝕刻液...中英文名稱：鋁蝕刻液(AlEtchant). ... gap蝕刻液 ... https://pharmknow.com CN103966605A - 一种LED芯片GaP层用刻蚀液及刻蚀方法 ...
[0005] 中国专利申请号:201010181217.9，公开了一份名称为具有表面双层粗化的四元系垂直发光二极管及其制备方法的专利文件，其中指出湿法蚀刻采用的蚀刻液 ... https://patents.google.com 台灣波律股份有限公司 台波,taimax,波律,電子,代理,出口,原料 ...
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