gan led
GaN LED是屬於直接能隙之半導體材料， 其能隙為3.4ev， 而AlN為6.3ev， InN為2.0ev，將這幾種材料做成混晶時，可以將能隙從2.0ev連續改變到6.3ev，因此可以 ... ,GaN LED是屬於直接能隙之半導體材料， 其能隙為3.4ev， 而AlN為6.3ev， InN為2.0ev，將這幾種材料做成混晶時，可以將能隙從2.0ev連續改變到6.3ev，因此可以 ... , 德國知識產權許可公司ALLOS Semiconductors將自己的定位成適用於LED、電源和射頻應用的矽基氮化鎵(GaN-on-Si)基板技術的領先供應商， ..., 中村修二博士與他在聖塔芭芭拉大學的同僚Steven博士等人，近日拜訪了台灣，這位新科諾貝爾物理獎得主素來以快人快語風格聞名，在他這次於 ...,藍光LED是能發出藍光的LED（發光二極體）燈，其發明獲譽為「愛迪生之後的第二次照明 ... 藍光LED包含數種不同的氮化鎵（GaN）層。中村修二在其中摻入了銦（In）和 ... ,現在市售的白光LED幾乎都是GaN系LED，而且泰半在藍寶石基板上製作。在藍寶石基板上介有低溫緩衝層成長的GaN中，殘留了108~1010 cm-2程度的貫通轉位。
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 gan led 相關參考資料
GaN LED - 解釋頁
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