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理想的MOSFET 電流-電壓特性 ... 表3.1.1 為N 通道增強型MOSFET，各種狀態下的電流電壓公式。 ... 度、COX:單位面積的氧化層電容、μn:反轉層電子的移動率。 ,交流電壓Vgs加於閘源極間，產生的洩極電流Id，其值為gmVgs。gm稱為互導(transconductance)，單位為西門斯或姆歐。其定義為：. Eqn8-18.gif (199 bytes) |VDS=定 ... ,一般MOSFET掃過Vgs以後就可以得到一些電性參數, 像: 場效遷移率(mobility)μ 轉導係數Gm等等. ... 所以固定Vds掃完Vgs後Ids Vgs Vth Vds都有數值, W/L元件參數也為已知, Cox單位電容為ε/t, t氧化層厚度也為樣品參數已知, ε=εoεr, ... ,一、FET之低頻小信號模型 ... 的洩極電流Id，其值為gmVgs。gm稱為互導(transconductance)，單位為西門斯或姆歐。 ... 輸出電壓Vo為Vo=Vi[RS/(RS+1/gm)] (8-21). ,Cox為閘極與基板間氧化層之單位面積電容值( Oxide capacitance ). 當VDS很小時，(14-1) ... 曲線於操作點之斜率id/vgs為小訊號等效電路之互導gm，. 圖14-3 VDS很 ... ,我們主要介紹的FET有接面場效電晶體(Junction Field Effect Transistor,. JFET)，和金氧半場效電 ..... Cox [F/m2]:單位面積的氧化層電容. υGS>Vt. 半導體物理與元件5- ... ,FET是一種三端點的裝置，它包含了一個基本的P-N接面，如圖8-1(a)為N ..... 的洩極電流Id，其值為gmVgs。gm稱為互導(transconductance)，單位為西門斯或姆歐。 ,控制閘為接面型的接面場效電晶體（Junction FET，JFET）。無論何種FET 都有N 通道 ..... ID×RS = 6V ID×1k = (6 ID) V，ID 單位為mA。假設E-MOSFET 工作於夾止 ... ,為使FET 當成線性放大器，電晶體需偏壓在飽和區，即瞬間iD ... 求gm. 解：. MOSFET 轉導(即增益)比BJT 來的小，. 但有較高輸入阻抗、尺寸小及低功率消耗之優點. , 增強型MOSFET ID=IDSS(1-Vgs/Vp)^2 gm=(2IDSS/Vp)(1-Vgs/Vp) 空乏型MOSFET ID=k(Vgs-Vt)^2 gm=2k(Vgs-Vt) 運算放大器. CMRR=│Ad/Ac ...

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Chapter 3 場效電晶體(The Field-Effect Transistor)

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單元十四:MOSFET特性

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場效電晶體

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場效電晶體之特性與偏壓

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